本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种MOSFET器件结构及其制备方法，MOSFET器件结构包括：碳化硅漂移层、至少一个深阱区和至少一个浅阱区、JFET区以及源区；碳化硅漂移层具有第一掺杂类型；深阱区和浅阱区相互间隔且横向分布在碳化硅漂...

本发明涉及半导体器件技术领域，公开了功率半导体器件及其制备方法。方法包括：在基板的第一表面内深入形成第一掺杂区，第一掺杂区表面与第一表面具有第一间隔距离；在第一掺杂区的内深入形成第二掺杂区，第二掺杂区的表面与第一表面平齐，第二掺杂区与第...