本发明公开了一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器，其包括InP衬底，在InP衬底上依次沉积有缓冲层、光栅层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述欧姆接触层中Z...

一种用于光学镀膜时BAR条摆放的辅助装置，包括水平设置的底板，所述底板上设置有第一载台和第二载台，所述第一载台由两个等高且垂直所述底板的第一柱体组成，所述第二载台由两个等高且垂直所述底板的第二柱体组成，所述第二载台设置在所述第一载台的内...

一种用于金属镀膜时辅助片子表面散热的装置，包括可放置在镀膜机内的载片台，所述载片台上设置有盖板，所述载片台与所述盖板可拆卸式紧固连接；所述载片台的中部开设有用于放置所述片子的放片槽，所述放片槽的深度低于所述片子的厚度设置；所述放片槽的下...

本实用新型提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR层与(Al)G...

本实用新型提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑...

本实用新型提供一种DFB激光器外延片，包括衬底，所述衬底的正面上依次沉积有缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和蚀刻的光栅制作层，光栅制作层上依次生长有二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述衬...

本实用新型提供一种窄垂直方向远场发散角的激光器，该激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底上由下向上依次沉积有缓冲层、N型外限制层、N型内限制层、非掺杂的折射率渐变的波导层、量子阱有源区、非掺杂的折射率渐变的波导层、P型内限制层、P...

本发明提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs 缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述 N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR 层与(Al)...

本发明提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xG...

本发明提供一种DFB激光器外延片，包括衬底，所述衬底的正面上依次沉积有缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、缓冲层、腐蚀阻挡层、包层和蚀刻的光栅制作层，光栅制作层上依次生长有二次外延层、势垒渐变层和欧姆接触层，所述衬底的...

本发明提供一种该激光器的外延结构包括InP衬底，在InP衬底上由下向上依次沉积有缓冲层、N型外限制层、N型内限制层、非掺杂的折射率渐变的波导层、量子阱有源区、非掺杂的折射率渐变的波导层、P型内限制层、P型外限制层、腐蚀阻挡层、P型包层、...