本发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，第一N型GaN层生长在第一衬底上或第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及第一或第二...

本发明公开了一种LED外延片的检测方法及装置。该方法包括：在LED外延片的上、下端面之间施加一交流方波电压，并且所述交流方波电压的大小足以驱动LED外延片发光。该装置包括：用于承载LED外延片的导电基底，且所述导电基底与LED外延片下端...

本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底，该衬底具有台阶形结构，且至少衬底侧边上部为与竖直方向成10-45°夹角的倾斜边。该方法为：首先以彼此之间成20-90°夹角的两束激光自衬...

一种LED外延芯片的分离方法。该方法为：在预留生长或生长有LED外延结构的硬质衬底背面光学刻蚀形成沟槽，沟槽与预定形成或形成于衬底正面的芯片图形之间的预定分割位置相应；在衬底正面生长外延结构形成外延片，而后沿沟槽将该外延片分割形成单个L...