本发明公开了一种混合型MOSFET器件结构，其包括：具有第一表面和第二表面的衬底，设置在衬底的第一表面上的漂移区，形成在漂移区内的掺杂层，以及沿第一方向设置在漂移区内的第一元胞和第二元胞，其中第一元胞、第二元胞分别为槽栅(Trench)...