本申请提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：衬底层；位于所述衬底层上的第一半导体层；位于第一半导体层背离所述衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述衬底层一侧的第二半导体层，所述第二半导体层中具有受主掺杂离子；位于所...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种氮化镓基激光器腔面结构、氮化镓基激光器及其制备方法，包括氮化镓外延层；位于氮化镓外延层平坦结构表面的第一绝缘层；分别位于氮化镓外延层脊型结构第一区域的第二绝缘层和第二区域的第三绝缘层；由电极本体、第一...

一种边发射半导体激光器的制备方法，包括：在第一区上的金属层背离有源层的一侧表面形成第一正性光刻胶层；以第一正性光刻胶层为掩膜对所述金属层进行刻蚀直至暴露出第一导电类型的半导体层的表面；去除第一正性光刻胶层之后，在第一区和第二区的交叠区域...

本发明提供一种半导体激光器巴条解理的方法,包括：提供半导体激光器基体；半导体激光器基体包括若干并排连接的巴条区域；巴条区域包括若干个平行排列的半导体激光器芯片；半导体激光器基体具有半导体衬底层和位于半导体衬底层一侧表面的外延层；在相邻的...

一种半导体激光器的制备方法，包括：在凹槽的底部表面、脊形区的侧壁表面和脊形区的顶部形成钝化层；在钝化层的表面形成胶膜，所述凹槽中的胶膜的表面低于所述脊形区的顶部的胶膜的表面；提供平板基板，将平板基板压印在脊形区背离半导体衬底层的一侧，使...