本发明公开了一种新的薄膜光电器件和制造方法。该器件包括位于吸收剂层与电极之间且使背接触和器件效率提高的界面层。界面层包括含有Ma-（VIA族）b化合物的材料，其中M是过渡金属，VIA族是指Te、Se和/或S。

本发明公开了具有基板结构的包含ＩＩ－ＶＩ族半导体层的薄膜光伏器件，该基板结构具有在吸收体层和窗口层之间的中间层以产生改进的结。本发明也公开了包含ＩＩ－ＶＩ族半导体层的薄膜光伏器件的制造和表面处理方法，所述薄膜光伏器件具有基板结构以产生具...

本发明公开了具有基板结构的薄膜光伏器件，其包括ＩＩ－ＶＩ族半导体层，且在背电极与吸收体层之间具有能够在器件中产生欧姆接触的界面层。本发明公开了具有覆板结构的薄膜光伏器件，其包括ＩＩ－ＶＩ族半导体层，且在背电极与吸收体层之间具有能够在器件...

本发明描述了以连续辊对辊法制造光伏器件的方法和装置。根据本发明的制造装置是相当新颖且非显而易见的，并提供了加工薄膜太阳能电池的资本效率和益处。

本发明公开了一种新型的具有单片集成和背面金属接触器的薄膜光伏器件以及制造该器件的方法。本发明所描述的创新方法实现了完全通过薄膜处理来构造的器件和方法。根据本发明的太阳能电池由于降低了透明导电电极中的电流损失而提高了大器件的输出。