【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有单片集成和背面接触器的薄膜太阳能电池相关申请的交叉引用本申请要求2008年6月4日申请的美国临时专利申请第61/130，拟6号和2008 年6月7日申请的美国临时专利申请第61/131，179号的优先权，上述两案的内容以引用的 方式并入本文。
技术介绍
目前的太阳能技术可以粗略分类成晶体硅技术和薄膜技术；本专利技术涉及薄膜太阳 能膜。大约90%的太阳能电池是由硅(单晶硅或多晶硅)制成的。晶体硅(c-Si)已在大 多数太阳能电池中用作光吸收半导体(light-absorbing semiconductor)，虽然它是相对 较差的光吸收体并且需要相当厚(数百微米)的材料。尽管如此，晶体硅被证明是方便的， 因为它生产出具有良好效率(13-18%，理论最大值的二分之一到三分之二)的稳定的太阳 能组件并且使用从微电子工业的知识基础发展出的工艺技术。第二代太阳能电池吸收体技术是基于本领域承认的术语“薄膜”。主要的薄膜技 术有非晶硅、铜铟镓硒(CIGQ和碲化镉(CdTe)。CdTe薄膜太阳能电池的制造非常的简单， 并且与所有其他的太阳能电池技术相比有希望实现最低的制造成本。NRE...
【技术保护点】
一种光伏器件，包括： 多个光伏电池， 每个所述电池独立地包括透明导电电极、窗口层、吸收体层、底部电极、导电衬底、以及背面电极， 其中所述底部电极和所述背面电极位于所述衬底的相对侧。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D雷迪，C莱德霍姆，B格根，
申请(专利权)人：索莱克山特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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