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索尔伏打电流公司专利技术
索尔伏打电流公司共有12项专利
密堆积胶体晶体膜的壳赋能垂直对准和精密组装制造技术
本申请涉及密堆积胶体晶体膜的壳赋能垂直对准和精密组装。纳米线包括导电催化剂纳米粒子第一部分、半导体线第二部分、围绕所述第一部分的第一介电壳和围绕所述第二部分的第二介电壳或功能区。所述第二介电壳或功能区的材料不同于所述第一壳的材料。
用于将纳米线从流体传递到衬底表面的方法技术
本发明提供了一种用于将定向纳米线的组合件从流体传递到衬底表面的方法,其包含:向容器提供(图2A)流体,所述流体包括第一液体(11)、第二液体(12)以及多根纳米线(25),其中所述第一和第二液体相分离成下相、上相以及在所述下相和所述上相...
太阳能电池结构及其制造方法技术
一种太阳能电池结构(1),所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括:第一电极层(7),其实现与每一第一区段(3)的至少一个部分的欧姆接触...
同心流反应器制造技术
本发明涉及同心流反应器。一种气相纳米线生长装置,其包括反应室(200)、第一输入端和第二输入端(202B,202A)。第一输入端同心位于第二输入端内,并且第一输入端和第二输入端经布置,使得从第二输入端输送的第二流体在从第一输入端输送的第...
双层光伏设备制造技术
一种混合光伏设备(1),包括薄膜太阳能电池(2),薄膜太阳能电池(2)设置在包括竖直排列的纳米线(25)的阵列的第一层(21)中,纳米线设有具有对应于第一光谱范围的第一带隙的结。纳米线(25)形成吸收区域,并且在纳米线之间形成非吸收区域...
具有纳米粒子气溶胶发生器的纳米线生长系统技术方案
本文揭示一种纳米粒子气溶胶发生器。所述纳米粒子气溶胶发生器包括具有壁的蒸发室、含有源材料的容器和经配置以加热所述源材料的加热装置。所述纳米粒子气溶胶发生器还包括载体气体源,其经配置以将载体气体吹向所述源材料以生成纳米粒子气溶胶,所述源材...
密堆积胶体晶体膜的壳赋能(SHELL‑ENABLED)垂直对准和精密组装制造技术
纳米线包括导电催化剂纳米粒子第一部分、半导体线第二部分、围绕所述第一部分的第一介电壳和围绕所述第二部分的第二介电壳或功能区。所述第二介电壳或功能区的材料不同于所述第一壳的材料。
太阳能电池结构及其制造方法技术
一种太阳能电池结构(1)及其制造方法,所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括:第一电极层(7),其实现与每一第一区段(3)的至少一个部...
捕获和对准纳米线的组合件的方法技术
一种将定向纳米线从液体界面转移到表面上的方法,其包括提供第一液体和第二液体,其中所述第一和第二液体相分离成底部相、顶部相和所述底部相与所述顶部相之间的界面;在所述第一和第二液体中提供纳米线使得大部分所述纳米线位于所述界面处并且将所述纳米...
半导体纳米线的凹槽式接触制造技术
一种半导体纳米线器件,包括:至少一根半导体纳米线,其具有底面和顶面;绝缘材料,其包围所述半导体纳米线;以及电极,其欧姆接触所述半导体纳米线的顶面。所述电极与所述半导体纳米线的半导体材料的接触由与所述半导体纳米线的顶面的接触占主导。
同心流反应器制造技术
一种气相纳米线生长装置,其包括反应室(200)、第一输入端和第二输入端(202B,202A)。第一输入端同心位于第二输入端内,并且第一输入端和第二输入端经布置,使得从第二输入端输送的第二流体在从第一输入端输送的第一流体和反应室壁之间提供...
纳米线官能化、分散和附着方法技术
提供了纳米线器件和制造纳米线器件的方法。该器件包括用不同官能化化合物官能化的许多纳米线。该方法包括用官能化化合物将纳米线官能化、将所述纳米线分散在极性或半极性溶剂中、在衬底上排列所述纳米线以使纳米线的纵轴大致垂直于衬底的主要表面取向并将...
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