公开了用于设备使用的动态冗余寄存器。所述动态冗余寄存器允许所述设备的存储体在高写错误率(WER)的情况下操作。将第一级冗余寄存器(e1寄存器)耦合到所述存储体。所述e1寄存器可存储已经验证失败或者未进行验证的数据字。所述e1寄存器将数据...

公开了用于设备使用的动态冗余寄存器。所述动态冗余寄存器允许所述设备的存储体在高写错误率(WER)的情况下操作。将第一级冗余寄存器(e1寄存器)耦合到所述存储体。所述e1寄存器可存储已经验证失败或者未进行验证的数据字。所述e1寄存器将数据...

公开了用于设备使用的动态冗余寄存器。所述动态冗余寄存器允许所述设备的存储体在高写错误率(WER)的情况下操作。将第一级冗余寄存器(e1寄存器)耦合到所述存储体。所述e1寄存器可存储已经验证失败或者未进行验证的数据字。所述e1寄存器将数据...

本发明揭示一种磁阻随机存取存储器MRAM装置。本文描述的所述装置在磁性隧道结的自由层上方具有热稳定性增强层。所述热稳定性增强层改进所述自由层的所述热稳定性，增加所述自由层的磁矩而不使所述自由层的磁性方向在平面内。所述热稳定性增强层可由C...

所描述的实施例可用于半导体制造中且采用具有高和低抛光速率的材料来帮助确定在整个晶片中一致且可在损坏半导体元件之前停止抛光的精确抛光终点。使用所述半导体元件之间的所述低抛光速率材料的高度作为所述抛光终点。由于所述低抛光速率材料减缓抛光工艺...

本发明揭示了一种磁阻随机存取存储器MRAM。MRAM装置具有磁性隧道结堆叠，所述磁性隧道结结构中的自由层的性能显著地改善。所述MRAM装置结合垂直MTJ利用进动自旋电流PSC磁性层，在所述垂直MTJ中，所述PSC磁性层的平面内磁化方向自...

本发明提供一种磁性隧道结堆叠，其在自由层与极化器层之间包含由氧化镁及氮化钽材料形成的非磁性间隔物层，所述非磁性间隔物层平衡作用于所述自由层上的自旋扭矩。所提供的设计实现存储层的确定性最终状态，且显著改进用于MRAM应用的所述磁性隧道结的...

本发明揭示具有磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器装置，所述磁性隧道结堆叠具有磁性隧道结结构中的自由层的显著经改进性能。所述存储器装置包含反铁磁结构及安置于所述反铁磁结构上的磁性隧道结结构。所述磁性隧道结结构包含参考层及自由层，其中势垒...

本发明揭示了一种用于制造MTJ存储器装置的MTJ柱的方法。所述方法包括在衬底上沉积多个MTJ层、在所述衬底上沉积硬掩模及在所述硬掩模上涂布光致抗蚀剂。此外，执行反应性离子蚀刻及离子束蚀刻的交替步骤以隔离MTJ柱并暴露所述MTJ层的侧表面...