本发明提供了一种集成式Mini整流桥新结构及其制作工艺。集成式Mini整流桥新结构包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的四个引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体...

本实用新型提供了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，它包括四个二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；四个二极管芯片技术指标相同，且顶面均为P型、底面均为N型；双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第一引线框架上，分别通过...

本实用新型公开了一种芯片生产线的镍废水处理系统，属于芯片生产废水处理技术领域。所述系统包括废水收集池和蒸发室，所述废水收集池与所述蒸发室之间设有废水供给管道，所述蒸发室上方设有第一集气罩，所述第一集气罩上部连接有第一废气输送管道。本实用...

本实用新型提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架...

本实用新型提供了一种超薄低热阻的全波整流桥新结构，它包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固...

本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设...

本实用新型公开了一种高耐压台面二极管芯片，属于芯片制造技术领域。本实用新型的芯片包括PN结和钝化膜层，其特征在于：所述PN结的N区外侧设有N+层；所述钝化膜层包覆在PN结外部的台面侧壁，所述钝化膜层包括从下到上依次设置的掺氧半绝缘多晶硅...

本实用新型公开了一种中低压台面二极管芯片，属于芯片制造技术领域。本实用新型的芯片包括PN结和钝化膜层，其特征在于：所述PN结的N区外侧设有N+层；所述钝化膜层包覆在PN结外部的台面侧壁，所述钝化膜层包括掺氧半绝缘多晶硅层和不掺杂氧化硅层...

本发明公开了一种芯片生产线的镍废水处理方法，属于芯片生产废水处理技术领域。所述废水处理方法包括废水收集、废水蒸发、废气处理和固体废渣处理；所述废水蒸发是在蒸发室内通入高温气体进行加热蒸发，蒸发时间为12～16h，蒸发温度为180～220...