四川创安微电子有限公司专利技术

四川创安微电子有限公司共有65项专利

  • 本发明公开了一种图像传感器暗光环境的降噪方法,包括确定降噪采样区域;将扩展区域的部分像素与遮光区域像素一起用于计算;输出固定噪声。该方法通过降噪采样区域扩展,尽可能地保证感光区域内采样像素数量,提高了降噪精度。
  • 本发明公开了一种图像亮度处理方法及图像传感器,该处理方法包括:
  • 本发明公开了一种基于图像传感器的黑电平校正方法及系统,对第一帧图像进行高速黑电平校正;从第二帧开始进行逐帧的黑电平变化量计算,再通过阈值比较判断进入高速校正模式或低速校正模式,进一步得出每一帧的校准值。当黑电平变化量超过高速阈值时,更新...
  • 本发明公开了一种移动物体侦测的方法,包括步骤:S1、输入侦测的连续图像,并选取背景帧;S2、通过降采样得到像素矩阵数据;S3、向量信息比较获得差分信息;S4、灰度信息比较获得差分信息;S5、综合步骤S3和步骤S4的两种差分信息来共同判断...
  • 本实用新型公开了一种多电源供电结构,包括外部电源Vp+、外部电源Vp
  • 本实用新型公开了一种高速电平转换器,包括低压输出部、高压输出部、电容C和电阻R,其中,低压输出部的输出端与高压输出部的输入端通过电容C连接,高压输出部的输出端通过电阻R与高压输出部的输入端连接。该电平转换器能够实现高速信号的传输,占空比...
  • 本实用新型公开了一种降低噪声的像素电源系统,包括:电压生成模块,用于提供像素工作的正电源和负电源;驱动模块,用于产生像素单元中传输晶体管的控制信号TX;驱动电源选择控制模块,用于控制所述驱动模块中MOS管的导通或关断;像素模块,由M行N...
  • 本发明公开了一种CIS芯片及其图像测试模块和测试方法,其中,图像测试模块被配置为:在芯片设计阶段,根据芯片测试需求,预先设置待测芯片各项测试所需的配置,包括:响应于测试启动信号,断开待测芯片内部像素模块输出,控制内部电压产生模块输出指定...
  • 本发明公开了一种图像处理方法及系统,该图像处理方法包括:确定采样区域,包括有效像素区域和HOB像素区域;以行为单位,读取有效像素区域和HOB像素区域的有效像素的信息;计算HOB像素区域的有效像素的平均值;输出经修正后的有效像素区域的有效...
  • 本发明公开了一种降低堆叠式传感器噪声的电源结构单元和电源阵列,包括:顶层金属和次顶层金属;顶层金属位于次顶层金属的上方;顶层金属包括:电源线和地线,电源线与地线的电流方向相反;次顶层金属包括:第一复用单元和第二复用单元;第一复用单元与第...
  • 本发明公开了一种RAM自动传输控制电路及RAM领域复制控制方法,包括置于总线与若干RAM模块之间的RAM控制器,RAM控制器不占用CPU和总线,控制RAM模块之间进行领域复制;RAM控制器根据总线的设置自动开始将被复制领域复制到目标领域...
  • 本发明公开了一种像素电路,包括:像素驱动模块、负电压生成模块、像素模块和电流补偿模块;像素模块包括:一个单位负载检测像素单元和多个有效像素单元;电流补偿模块用于输出负载电流对像素模块进行电流补偿,单位负载检测像素单元用于模拟像素泄放动作...
  • 本发明公开了一种功能验证环境健全性分析方法、系统、终端及介质,涉及功能仿真验证技术领域,其技术方案要点是:将插入错误的测试设计输入功能验证环境进行仿真测试,得到插入错误的测试报告;依据判定程序插件筛选出插入错误的测试报告中能够使插入错误...
  • 本发明公开了一种标准单元库的版图验证方法,通过重复调用标准单元库中的各标准单元,并制定标准单元的排布规则,按照排布规则对调取的标准单元进行排布,生成包含全体标准单元之间的所有邻接方式的顶层模块;通过对顶层模块进行验证,实现只需一次验证即...
  • 本实用新型提供一种芯片上电复位电路,具体包括:比较器的输入端连接同一个基准电压和对应的电源电压;比较器的输出端均连接到逻辑单元一;所述逻辑单元二的输入端分别与逻辑单元一的输出端和延迟单元的输出端连接;所述延迟单元的输入端分别接入逻辑单元...
  • 本实用新型提供一种适用于图像传感器的时钟传输电路,涉及时钟传输电路技术领域。该适用于图像传感器的时钟传输电路采用多个D触发器级联,通过异步转同步的方式消除电路中可能产生的亚稳态;在时钟传输线路上引入NBTI效应抑制信号NBTI_REDU...
  • 本实用新型公开了一种格雷码计数器及图像传感器,包括若干格雷码生成部,称为第0格雷码生成部、第1格雷码生成部、
  • 本实用新型提供一种PAD堆叠结构,涉及芯片技术领域。该PAD堆叠结构包括上PAD、下PAD和隔离层,所述隔离层设置在上PAD和下PAD之间;所述上PAD包括至少两层金属层;所述下PAD包括至少两层金属层;所述隔离层为至少一层金属板;所述...
  • 本实用新型公开了一种分阶驱动电路及比较器,分阶驱动电路包括P沟道型MOS管MP1、MP2、MP3,N沟道型MOS管MN1,电阻R1、R2;其中,MP1的源极接电源VDD,MP1的漏极接所述MP3的源极,MP1的漏极和MP3的源极的公共端...
  • 本发明公开了一种芯片内产生局部电压降的位置定位及调整验证方法,主要针对由于电源轨道通孔少打或漏打而导致局部电压降过大的问题,提供了一种不依赖电压降测试工具以及人工检测支持,仅基于EDA设计就能够实现的一种高效验证方法。在设计阶段能够及时...