本发明公开了一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的氮化铝(AlN)单晶PVT生长方法及装置。该方法在生长过程中分段调节压力：升温过程中将腔体压力维持在0.9Mpa‑大气压。达到生长温度时，气压降低至0.5‑0.8MPa，压力在生长过程中周期...