本发明涉及芯片制作工艺技术领域，提供一种在CMOS基板上异构GaN Die的制作方法，包括：步骤1，利用蓝宝石基外延片，制作GaN Die；步骤2，将GaN Die临时键合到第一临时衬底上；步骤3，去除GaN Die的蓝宝石衬底；步骤4...