本实用新型公开了一种电源管理芯片封装结构，具体涉及电源管理芯片封装领域，所述芯片本体的顶部表面固定连接有散热机构，在芯片本体上方安装有固定机构，芯片本体上方可拆卸连接有夹持装置，夹持装置包括左转折板，左转折板内部安装有轴承，轴承轴接有活...

本实用新型公开了一种加强散热结构的电源芯片，属于电源芯片散热结构技术领域，包括电源芯片、主板和散热架，电源芯片通过两侧脚针插接于主板上方，散热架通过底部固定柱螺栓连接于主板靠近电源芯片的一侧，散热架底部相对电源芯片的位置内嵌有导热板，导...

本发明公开了使用SiC二极管的IGBT功率模块，掺杂层上形成第一外延层，第一外延层与掺杂层形成PN结，阱区内形成第一注入区和第二注入区，第一注入区和第二注入区连接，第二金属层与第一注入区和部分第二注入区形成欧姆接触，减小了导通电阻，第一...

本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其加工制造方法；本发明首先采用高温气相沉积法制备碳化硅晶锭，然后对碳化硅晶锭进行整形并获得碳化硅晶棒，然后对碳化硅晶锭进行切片并获得碳化硅晶片，然后对碳化硅晶片依次进行研磨、抛光...