本发明涉及定义多晶硅生长方向的方法。该定义多晶硅生长方向的方法包括：步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成规律的石墨烯阵列；步骤3、在形成有该石墨烯阵列的该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形...

本发明实施例公开了一种液晶显示面板的显示方法，包括：将液晶显示面板中多个像素单元以行为单位分为多个群组；获得各群组中每一行像素单元中子像素单元颜色的排列情况，并得到相同颜色排列情况所属像素单元的连续行数n；将n行像素单元为一显示单元，得...

本发明提供一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板，其中，阵列基板公共电极结构（1）包括：一对横向平行排列的条状栅金属（11），一对纵向排列且分别与所述栅金属（11）垂直相接的条状源漏极金属（12），以及采用与所述源漏极金属（12...

本发明公开一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板，具有第一电极层与覆盖所述第一电极层的第一配向层，还设置有黑矩阵和间隙子；CF基板，具有第二电极层与覆盖所述第二电极层的第二配向层；液晶层，配置于所述TFT阵列基板的第一配向层与所述CF基...

本发明提供一种白平衡调整方法，包括步骤：S1：将标准样品的白平衡值输入到显示面板中；S2：控制所述显示面板显示一具有不同灰度的测试图像，获取所述显示面板的全灰阶数据；S3：判断获取到的数据是否在规格范围内，若是，则进入下一制程；若不是，...

本发明涉及一种阵列基板以及相应的液晶显示器，阵列基板包括配置于一基板上的数据线；门线组以及共用电极线，互相交错于相邻两条数据以定义出一像素结构,所述像素结构包括:薄膜晶体管组件；第一与第二像素电极，配置于门线组以及共用电级线之间；分担电...

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，制程简单，通过连续成膜氧化物半导体层与源/漏极实现良好的接触界面，避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应，同时，源/漏极通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进...

本发明提供的一种太阳光收集装置，包括由多个集光器组成的集光器阵列和与控制器电连接的光传感部，所述集光器包括集光杯和固定在所述集光杯上的聚光透镜，光纤贯穿并固定在所述集光杯的杯底，所述集光杯杯底光纤的周围设有多个与所述控制器电连接的光探测...

本发明提供一种真空蒸镀装置，包括真空腔体、设于真空腔体内部的蒸镀源，其中，所述蒸镀源包括内加热单元和位于内加热单元外部的外加热单元；所述内加热单元内壁形成一材料容器，所述内加热单元外壁与所述外加热单元内壁之间为一真空夹层；所述内加热单元...

本发明涉及GOA电路结构。该GOA电路结构包括级联的多个孪生GOA单元，每个所述孪生GOA单元包括第2N-1级GOA单元和第2N级GOA单元，具有与第2N-1级栅极信号点（Q（2N-1））和第2N级栅极信号点（Q（2N））连接的第一下拉...