深圳市国微电子有限公司专利技术

深圳市国微电子有限公司共有183项专利

  • 一种抗辐照超高速触发电路及航天超高速触发器
    本发明适用于集成电路领域,提供了一种抗辐照超高速触发电路及航天超高速触发器,该电路包括:具有双互锁结构的第一、第二灵敏放大器,通过双向互锁将数据存放在不同节点;逻辑门电路,对不同节点的数据进行抗单粒子翻转干扰处理,生成预充电信号、置位信...
  • 一种反熔丝存储器的读取应用电路
    本发明公开了一种反熔丝存储器的读取应用电路,包括反熔丝单元,电流偏置单元、转换电压单元、参考电压单元、比较输出单元。所述反熔丝单元的导通电流输出端与所述转换电压单元的第一输入端连接。所述电流偏置单元的输出端分别与所述转换电压单元的第二输...
  • 一种基于Nand Flash芯片的数据缓存传输方法及其控制器
    本发明公开一种基于Nand Flash芯片的数据缓存传输方法及其控制器,主控缓存灵活对接ECC模块及通道的一种闪存控制器设计及用法。主要通过对缓存进行分割分组控制,使之灵活对接一个或多个ECC模块及通道。无论系统采用单个或多个ECC模块...
  • 一种高速串行存储控制方法及装置
    本发明公开了一种高速串行存储控制方法和装置。方法包括步骤:S1,定义写数据包格式和/或读数据包格式;S2,建立多个数据通道的通信链路并使多个数据通道对齐;S3,根据定义的写数据包格式和/或读数据包格式解析数据包;S4,读/写存储器。装置...
  • 一种限摆率驱动器
    本发明属于微电子领域,尤其涉及一种限摆率驱动器。根据本发明提供的限摆率驱动器,通过两个比较器对驱动管的栅极进行驱动控制,配合上拉、下拉开关和电流源对电容的充放电,达到控制输出电压摆率的效果,可以有效减小EMI和电源馈通问题。同时,因为本...
  • 一种电路器件的可靠性评估方法及装置
    本发明适用于可靠性工程技术领域,提供了一种电路器件的可靠性评估方法与装置,包括:配置用于可靠性评估的测试电路的特性参数;基于实验数据获取所述特性参数的应力趋势模型,所述应力趋势模型用于表示所述特性参数在不同应力之下的特性参数值;建立所述...
  • 信用分配方法和交换机
    本发明适用于交换机领域,提供了一种信用分配方法和交换机;在所述交换机中添加共享信用池;从所述端口接收到事务层包TLP时,在与所述端口关联的端口信用池中减去第一个数的信用,所述第一个数由所述TLP的数据量确定;统计所述端口信用池中剩余的信...
  • 一种基于SOPC的BOOT启动与FPGA配置方法及装置
    本发明适用于数据传输技术领域,提供了一种基于SOPC的BOOT启动与FPGA配置方法及装置,所示装置包括:主控单元,存储控制单元,第一存储单元,配置单元,数据校错单元和总线控制单元。本发明通过将第一存储单元集成在SOPC内部,减少了整机...
  • 一种数字IO电路
    本发明属于集成电路领域,尤其涉及一种数字IO电路。本发明提供的数字IO电路,包括依次相连的动态电路单元、输入缓冲控制单元和施密特电路单元,通过动态电路单元加速输入信号的转换过程,缩短了电路从“0”到“1”的转换时间,缩短了电路处于不定态...
  • 本发明公开了一种可灵活配置的可编程片上系统芯片及其启动配置方法,芯片包括内核模块、片上总线、启动配置模块、系统控制模块、存储控制模块、浮点运算加速模块、DMA控制模块、通用外设接口控制模块、内嵌存储模块和内嵌FPGA。本发明通过内嵌存储...
  • 一种反熔丝型可编程式存储器
    本发明适用于抗单粒子翻转领域,提供了一种反熔丝可编程式存储器;该存储器包括存储单元、信号预处理电路、信号输出端以及信号输入端;在所述存储单元与所述信号输入端之间设置第一冗余结构模块和/或在所述存储单元与所述信号输出端之间设置第二冗余结构...
  • 一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路
    本发明属于信息安全领域,提供了一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路。在本发明中,通过所述自毁控制模块输出高低两种不同的电平控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块通路或开路,当自毁控制信号输入时,所述自毁控制模块输出低高电...
  • 本发明适用集成电路领域,提供基于可编程单元配置的可编程互连线网络,包括多种不同类型的互连线、开关盒、连接盒及若干可编程逻辑块,可编程逻辑块之间通过互连线、开关盒及连接盒实现信号连接,若干可编程逻辑块设于内部不同的FPGA内,开关盒及连接...
  • 一种用于可编程芯片的查找表及查找表电路
    本发明适用集成电路领域,提供一种用于可编程芯片的查找表,该查找表由一次性反熔丝配置存储器单元连接译码单元构成,所述反熔丝配置存储单元利用MOS管栅氧层击穿形成电阻连接的原理构成电路,使反熔丝配置存储单元编程为“0”后存储位置电位被永久下...
  • 一种可编程存储系统
  • 一种可编程存储单元
    本发明公开一种可编程存储单元,包括并联在电源接入端与公共输出端之间的第一开关模块、第一反熔丝模块,以及并联在所述公共输出端与保护端之间的第二开关模块、第二反熔丝模块;所述第一开关模块、第二开关模块用于断开或接通其两端的电路;所述第一反熔...
  • 一种用于可编程芯片的可编程存储单元
    本发明提供一种用于可编程芯片的可编程存储单元,该电路包括第一反熔丝模块、第二反熔丝模块、第一开关模块、第二开关模块和保护模块;第一反熔丝模块的一端与编程线端相连接,第一反熔丝模块的另一端与第一开关模块的一端以及保护模块的第一输入端相连接...
  • 一种自适应PVT变化的时钟电路设计方法
    本发明公开了一种自适应PVT变化的时钟电路设计方法。本发明的时钟电路设计方法包括:在集成电路完成布局后确定同一时钟源驱动的存在时序关系的第一时序器件和第二时序器件,所述第一时序器件的数据输出被第二时序器件采样;确定待分析的PVT,以及确...
  • 本发明适用于电子与通信技术领域,提供了一种辐照加固的锁相环,包括辐照探测电路、逻辑控制电路、基准电路和锁相环功能电路;辐照探测电路对辐照强度进行探测并将探测到的辐照强度信号输出;逻辑控制电路将接收到的辐照强度信号与参考电压进行比较,根据...
  • 本发明适用于微电子集成电路设计技术领域,提供了一种基于三模冗余加固单粒子翻转的存储器,包括表决器,分别连接在表决器输入端的三个数据输出通路,以及连接在所述表决器输出端的输出缓冲模块;工作时,当三个数据输出通路中的一个或两个通路受到重离子...