本技术公开了一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，涉及毫米波技术领域。所述外延材料结构包括GaAs半绝缘衬底层，所述GaAs半绝缘衬底层的上表面形成有第一层AlGaAs外延层，第一层AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs半绝缘缓...

本实用新型公开了一种毫米波薄膜肖特基二极管，所述二极管包括半绝缘GaAs缓冲层，所述半绝缘GaAs缓冲层的上表面的左侧形成有阳极焊盘，所述半绝缘GaAs缓冲层的右侧形成有AlGaAs外延层，所述AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs重...

本实用新型公开了一种基波混频用双平衡肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括四个单阳极的肖特基二极管，所述肖特基二极管首尾相连构成一个四阳极结肖特基二极管，每个单阳极二极管的一个焊盘上形成有梁式引线，所述梁式引线用于肖特基二...

本实用新型公开了一种新型太赫兹谐波混频器，包括混频器单片集成电路，基板电路包括石英基板，所述射频输入波导和本振输入波导横跨到所述石英基板上，所述射频输入波导上形成有射频接地，射频过度的一端与所述射频接地连接，所述射频过度的另一端与所述石...

本发明公开了一种新型太赫兹谐波混频器，包括混频器单片集成电路，基板电路包括石英基板，所述射频输入波导和本振输入波导横跨到所述石英基板上，所述射频输入波导上形成有射频接地，射频过度的一端与所述射频接地连接，所述射频过度的另一端与所述石英基...

本发明公开了一种基波混频用双平衡肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括四个单阳极的肖特基二极管，所述肖特基二极管首尾相连构成一个四阳极结肖特基二极管，每个单阳极二极管的一个焊盘上形成有梁式引线，所述梁式引线用于肖特基二极管...

本发明公开了一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，涉及毫米波技术领域。所述外延材料结构包括GaAs半绝缘衬底层，所述GaAs半绝缘衬底层的上表面形成有第一层AlGaAs外延层，第一层AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs半绝缘缓...

本发明公开了一种毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括半绝缘GaAs缓冲层，所述半绝缘GaAs缓冲层的上表面的左侧形成有阳极焊盘，所述半绝缘GaAs缓冲层的右侧形成有AlGaAs外延层，所述AlGaAs外延层的上表面形成有G...

本实用新型公开了一种新型的热像仪，涉及电子成像设备技术领域，包括热像仪本体和调节机构；本实用新型中，通过连接杆、连接座和调节螺栓的配合使用方便调节并固定热像仪本体的角度，通过支撑管、套管和调节螺栓的配合使用，不仅便于调节热像仪本体的高度...

本实用新型公开了一种双光热像仪，涉及热像仪技术领域，包括安装底座、升降箱、支撑板、支撑柱和热像仪主体，所述升降箱固定连接在安装底座的顶部，所述支撑板滑动插设在升降箱的顶部，所述支撑柱固定连接在支撑板的顶部，所述热像仪主体活动套接在支撑柱...

本实用新型公开了一种热成像融合机芯，涉及热像仪组件技术领域，包括热像仪箱体、封堵盖、固定口、红外镜头和机芯组件，所述热像仪箱体的内部设置有安装腔，所述封堵盖与热像仪箱体的一侧相抵，所述固定口开设在封堵盖内，且所述固定口与安装腔相贯通，所...

本实用新型公开了一种基于人脸追踪识别及红外热成像检测额温设备，涉及额温检测设备技术领域，包括：基座、控制机构、角度调节机构和检测机构，所述控制机构开设在基座内，所述角度调节机构设在基座内，所述检测机构位于角度调节机构的顶部。本实用新型中...