【技术实现步骤摘要】
本技术涉及毫米波，尤其涉及一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构。
技术介绍
1、毫米波是指频率在波长在毫米级的电磁波，对应频率范围是30ghz-300ghz。毫米波由于工作频率高，对器件设计和外延材料都有着极高的要求。目前在毫米波的高端频率范围，比如100ghz-300ghz范围内，该频段的毫米波源和探测主要是基于肖特基二极管来实现。肖特基二极管由于其主要基于肖特基结的热电子发射，且主要依靠电子输运，工作频率可有效工作在整个毫米波电磁波范围内。
2、目前毫米波高端频段的肖特基二极管，其衬底厚度都在50微米及以上，较厚的衬底厚度给肖特基二极管带来了极大的寄生参量，包括寄生电容，电阻，电感等，常用的肖特基二极管外延材料结构如图1所示。为了降低肖特基二极管的寄生参数，提高肖特基二极管的性能，其中一种有效的方式是可以通过减少肖特基二极管的衬底厚度来降低寄生，提高肖特基二极管的性能。在制作肖特基二极管的工艺流程中，由于背面减薄的过程中，其存在较大的厚度不一致性，严重影响器件的批次一致性。为了提高肖特基二极管的性能，同时改善晶圆内肖特基二极管的批次一致性，需要设计全新的外延材料结构。
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题是如何提供一种一致性好，能够提高肖特基二极管性能的外延材料结构。
2、为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，其特征在于包括gaas半绝缘衬底层，所述gaas半绝缘衬底层的上表面形成有第一层a
3、优选的，所述gaas重掺杂层的掺杂浓度是5e18cm-3这个量级，厚度是2微米，由mocvd设备外延生长。
4、优选的，所述gaas轻掺杂层的掺杂浓度一般为1e17cm-3量级，厚度可以是0.1到0.5微米，由mocvd设备外延生长。
5、优选的，所述二氧化硅保护层的厚度为20-60纳米，由pecdv等设备进行生长。
6、采用上述技术方案所产生的有益效果在于：基于本技术提出的外延材料结构，直接去除肖特基二极管的衬底，可以支持制作薄膜肖特基二极管，其厚度可以降低至2微米的量级。同时，也可以支持肖特基二极管的器件厚度在50微米以内自由选择，器件只制作在外延层上，器件的厚度由gaas半绝缘衬底层的厚度来决定。且同一批次内的肖特基二极管的衬底厚度是完全一致的，极大的提高了芯片的性能一致性。
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1.一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，其特征在于包括GaAs半绝缘衬底层（1），所述GaAs半绝缘衬底层（1）的上表面形成有第一层AlGaAs外延层（2），第一层AlGaAs外延层（2）的上表面形成有GaAs半绝缘缓冲层（3），所述GaAs半绝缘缓冲层（3）的上表面形成有第二层AlGaAs外延层（4），所述第二层AlGaAs外延层（4）的上表面形成有GaAs重掺杂层（5），所述GaAs重掺杂层（5）的上表面形成有GaAs轻掺杂层（6），所述GaAs轻掺杂层（6）的上表面形成有二氧化硅保护层（7）；所述第一层AlGaAs外延层(2)以及第二层AlGaAs外延层（4）的厚度为2个微米，由MOCVD设备外延生长；GaAs半绝缘缓冲层（3）厚度为2微米到50微米，由MOCVD设备外延生长。
2.如权利要求1所述的用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，其特征在于：所述二氧化硅保护层（7）的厚度为20-60纳米，由PECVD设备进行生长。
【技术特征摘要】
1.一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，其特征在于包括gaas半绝缘衬底层（1），所述gaas半绝缘衬底层（1）的上表面形成有第一层algaas外延层（2），第一层algaas外延层（2）的上表面形成有gaas半绝缘缓冲层（3），所述gaas半绝缘缓冲层（3）的上表面形成有第二层algaas外延层（4），所述第二层algaas外延层（4）的上表面形成有gaas重掺杂层（5），所述gaas重掺杂层（5）的上表面形成有gaa...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈海森，王俊龙，杨明宣，金雷，
申请(专利权)人：深圳市承恩热视科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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