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本技术公开了一种用于制作薄膜肖特基二极管的外延材料结构，涉及毫米波技术领域。所述外延材料结构包括GaAs半绝缘衬底层，所述GaAs半绝缘衬底层的上表面形成有第一层AlGaAs外延层，第一层AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs半绝缘缓冲层...
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