本发明提供了一种利用H<subgt;2</subgt;等离子体制备晶体管电子组件方法，包括如下步骤：步骤S1、采用现有技术制备晶体管电子组件，完成栅极、介质层、有源层、源极、漏极制备；步骤S2、采用H<subgt;2&...

本实用新型公开了一种用于氧化制程的炉管温控装置，包括中央处理模块、温控单元和炉管进气量调节单元，温控单元数量为多个且多个温控单元沿轴线均匀布置于炉管侧壁，温控单元包括加热模块及至少一个温度传感模块，炉管进气量调节单元包括流量监测模块和电...

本实用新型涉及工业生产技术领域，且公开了一种半导体晶圆背面研磨装置，包括箱体与电动研磨器，电动研磨器设置在箱体内部，箱体一侧开设有入口，箱体顶部通过轴承转动连接有把手，箱体内部设置有升降机构，箱体内部设置有夹紧机构。本实用新型通过设置夹...

本实用新型公开了一种半导体用散热结构，涉及半导体领域，包括固定盒体，所述固定盒体的顶面水平开设有透气格栅，所述固定盒体的两侧边对称开设有插接孔，所述插接孔的内侧边水平插接有延伸插杆，所述延伸插杆的顶面竖直向开设有竖插槽，所述竖插槽的内侧...

本实用新型公开一种半导体芯片塑封装置，包括底座、立柱、横块塑封机构，所述底座的顶端分别设置有压平机构和辅助机构，所述压平机构包括放置台、电机、转动轴、主动锥齿轮、从动锥齿轮、伸缩杆、压平块，所述放置台的顶部开设有放置槽，所述电机的输出端...

本发明公开了一种薄膜电晶体电特性优化方法，先进行基板清洗和洁净度检测，然后采用高低DR结构进行SiNx薄膜沉积并完成薄膜电晶体样本制作，然后薄膜电晶体样本的电特性量测，最后根据电特性筛选最优样本参数组合，即最优的加工沉积速率与薄膜厚度值...

本实用新型公开了一种反应室八寸石墨盘防飞脱的装置，包括所述晶圆上设置有凹槽，所述晶圆的内部设置有三个圆盘，所述凹槽设有角度10度的缩口，所述晶圆的底部设置有圆弧。本实用新型当在高温生长阶段，晶圆不会产生乔曲，此时搭配上整体行星式运转转速...

本实用新型公开了一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置，包括晶圆，所述晶圆上设置有凹槽，所述凹槽设有角度13～15度的缩口，所述晶圆的底部设置有圆弧。本实用新型当在高温生长阶段，晶圆不会产生乔曲，此时搭配上整体行星式运转转速很高，可以减少晶圆...

本实用新型公开了一种反应室环绕式石英槽壁粗糙度控制的装置，包括石英盖板，所述石英盖板的一侧开设有第一弧形口，所述石英盖板的另一侧开设有第二弧形口，所述石英盖板上开设有定位孔。本实用新型通过设有的石英盖板使得残余沉积物会不会容易剥落下来，...

本实用新型公开了一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘，所述石英星盘的中部开设有圆孔，所述石英星盘的四周开设有多个弧口。本实用新型石英星盘上设有的弧口与石墨贴合，MOCVD工艺在基板表面形成薄膜的同时，不会在反应腔体...

本实用新型公开了一种反应室石英支撑盘减薄的装置，包括石英支撑盘，所述石英支撑盘设置有多个加强筋，所述石英支撑盘的中部开设有圆孔，所述石英支撑盘厚度为15mm。本实用新型通过将石英支撑盘1的厚度设置为15mm，在进行加工时，可以更好的适用...