一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘，所述石英星盘的中部开设有圆孔，所述石英星盘的四周开设有多个弧口。本实用新型专利技术石英星盘上设有的弧口与石墨贴合，MOCVD工艺在基板表面形成薄膜的同时，不会在反应腔体内形成残余沉积物，同时基板表面也不会产生缺陷，大大提高半导体的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置
本技术涉及一种金属有机化合物化学气相沉积设备，尤其是一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置。
技术介绍
半导体薄膜有机金属化学气相沉积(metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD)或称有机金属气相磊晶(metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)技术发展已逾三十年，目前已可利用气相磊晶技术制备IV族材料如钻石薄膜、碳化硅、介电材料如二氧化硅(SiO2)与氮化硅(Si3N4)、金属薄有机金属化学气相沉积(MOCVD)或称气相磊晶(MOVPE)系制备化合物半导体薄膜之重要制程。膜如钨(W)、铜(Cu)、金属化合物(intermetalliccompounds)、III-V、II-VI族以及各种化合物半导体薄膜材料，尤其是III-V族化合物半导体如砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)等与蓝绿光发光二极管(lightemittingdiode,LED)、雷射相关之主流光电薄膜材料均以MOCVD制程磊晶生成。但是，利用MOCVD工艺在所述基板表面形成薄膜的同时，还会再反应腔体内形成残余沉积物。这些残余沉积物会在反应腔体内产生杂质，并可能从附着处剥落下来，最终可能落在待处理的基板上，使得所述基板表面产生缺陷，影响最终形成的半导体的电学性能。鉴于此，实有必要设计一种新的方案以改善上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘，所述石英星盘的中部开设有圆孔，所述石英星盘的四周开设有多个弧口。本技术的技术效果和优点：石英星盘上设有的弧口与石墨贴合，MOCVD工艺在基板表面形成薄膜的同时，不会在反应腔体内形成残余沉积物，同时基板表面也不会产生缺陷，大大提高半导体的电学性能。附图说明图1为本技术的正面结构示意图。图中：1、石英星盘；2、圆孔；3、弧口。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了如图1所示的一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘1，石英星盘1的中部开设有圆孔2，石英星盘1的四周开设有多个弧口3。本技术工作原理：在金属有机化合物化学气相沉积设备中，将石英星盘1四周设置为圆弧形，设置成多个弧口3，弧口3与金属有机化合物化学气相沉积设备中的石墨小盘相贴合。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。本技术使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘(1)，其特征在于：所述石英星盘(1)的中部开设有圆孔(2)，所述石英星盘(1)的四周开设有多个弧口(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘(1)，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘烨，
申请(专利权)人：陕西宇腾电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61