本发明实现非对称传输的单层金纳米结构及其制备方法，该结构通过准备基底、涂光刻胶、涂胶后烘干、电子束曝光结构图形、显影、定影、定影后烘干、镀金、剥离光刻胶、吹干十个步骤制备；本发明的结构简单，其结构的连通性可以增强光和金属微纳结构的耦合，...

本发明公开了一种基于水溶性荧光聚合物快速灵敏检测MicroRNA的方法，该方法将探针SH‑DNA与金磁微粒结合得到巯基标记的金磁微粒，将丙烯酰基荧光素、探针Acrydite‑DNA及丙烯酰胺共聚得到水溶性荧光聚合物。MicroRNA同时...

本发明公开了一种多重刺激响应性壳交联聚合物胶束及其制备方法，该聚合物胶束是通过ATRP和点击化学反应合成以聚甲基丙烯酸二甲氨基乙酯为亲水链、聚甲基丙烯酸二茂铁甲酰氧基乙酯为疏水链的双亲两嵌段聚合物，该聚合物在水中自组装形成尺寸均一的核壳...

本发明涉及一种含有(醛基)菲罗啉配体的铱配合物以及用其定量检测亚硫酸氢根的方法，该含有(醛基)菲罗啉配体的铱配合物，其分子式为[Ir(ppy)2phen‑CHO]

本发明公开了一种核壳结构Au@SiO

本公开涉及一种基于节点社会关系的机会网络路由方法，所述方法使节点将携带的消息沿着与该节点具有相似身份特征的节点转发，从而使所述消息快速转发至目标节点。所述身份特征与所述消息的主题对应。消息是否进行转发通过路由决策值判断。所述路由决策值由...

本发明公开了一种增大钙钛矿CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH3NH3PbI3成膜过程中晶粒的长大，增加了...

本发明公开了一种光产生热电子电流的方法，该方法利用简单易得的三角形铜箔和容易制备的氧化锌掺铝薄膜之间的物理接触，然后利用氦氖激光照射三角形铜箔与薄膜表面接触角的角尖，激发铜箔表面产生表面等离子体激元，通过表面等离子体的电磁衰减在铜箔表面...

本发明公开了一种石油焦基柱状活性炭的制备方法，该方法采用沥青为基质，在与酚醛进一步缩合下，形成软化点为290～350℃、残炭72％～82％的碳质结合剂，并与辅助粘结剂共同作用，与石油焦粉经混捏、成型、炭化和活化，制备成强度达86％～95...

本发明公开了一种用于桥梁裂缝检测的窗口滑动算法,包括以下步骤:1).构建数据集,将数据集分为训练集和验证集后,在DBCC分类模型中进行训练；2).结合DBCC分类模型,检测桥梁裂缝。检测桥梁裂缝的计算过程如下述公式所示:

一种重建储粮温度场的方法，由设置声波传感器、用自适应鸟群方法重建储粮温度场、确定被测储粮区域的温度场步骤组成。本发明采用自适应鸟群方法重建黄豆温度场，能准确地重建出所测黄豆区域的温度场分布，在鸟群的飞行行为中加入移动步长，并根据鸟的局部...

本发明公开了一种抗凋亡细胞系，在真核细胞中缺失了Caspase3、Caspase6、Caspase7、AIF1中的三个或四个基因。并给出了抗凋亡细胞系的建立方法，包括筛选靶向Caspase3、Caspase6、Caspase7和AIF1...

本发明公开了一种基于两亲性铂配合物的白色发光材料，属于发光材料的制备技术领域。本发明将四乙二醇单甲醚为亲水尾部、2,6‑二(2‑苯并咪唑基)吡啶铂为疏水头基的两亲性铂配合物与亲水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐混合，通过浓度效...

本发明公开了一种含醛基的两亲性氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和应用，该衍生物的结构式为

本发明公开了一种含氮多环荧光化合物及其制备方法，该化合物的结构式为

本发明公开了一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法，该方法在钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液常温刮涂结束后，将电极置于衬底两端的钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液上，使用恒流电源给钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液通电，使钙...

本发明公开了一种可组合式灵活性协调能力训练装置，包括多个支撑体、盖体和连接桥，盖体的下方可拆卸连接有支撑体，任意两个支撑体之间可拆卸连接有连接桥，连接桥的末端卡在支撑体和盖体的结合面上的容纳槽内；该训练装置还包括多个可拆卸式连接在盖体的...

本发明公开了一种羟基磷灰石/相转变溶菌酶涂层杂化材料及其制备方法，通过模拟自然界生物矿化，以溶菌酶为蛋白质模板，利用其表面丰富的功能性基团将钙离子螯合至基材表面，再通过静电作用在体外模拟生物矿化过程，成功诱导羟基磷灰石的成核并结晶，制备...

本发明公开了一种在标准模型下可证安全的基于属性的签密方法，所述签密为在一个逻辑步骤内同时实现数字签名和加密两种功能。所述签名为发送方以电子形式签名一个消息或文件,签名后的消息或文件能在计算机网络中传送,并表示签名人对该消息或文件的内容负...

本发明公开了一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、依次层叠设置在衬底上的低栅电极、底栅绝缘层、金属氧化物半导体层、含离子注入元素的顶栅绝缘层，以及设置在顶栅绝缘层上的源极、漏极和顶栅电极，且源极和漏极分别与金属氧化物半...