本发明公开了一种Ba3Si3N4O3晶体及荧光粉和制备方法，该晶体属于正交晶系，晶胞参数

本发明公开了一种基于溶菌酶纳米薄膜制备Janus颗粒的方法，该方法采用相转变溶菌酶纳米薄膜对微纳米颗粒进行改性，可制备不同粒径、形状、材质的Janus颗粒。本发明改性过程简单、高效，成本低廉、绿色环保，并且该方法具有极高的普适性，能够制...

本发明公开了一种六核铈基有机骨架化合物单晶及其制备方法，以硝酸铈铵为金属源，以2‑氨基对苯二甲酸或2‑氟对苯二甲酸为配体，通过引入结构导向剂2‑氟苯甲酸，在溶剂热的合成条件下，成功制备了两种铈基有机骨架化合物单晶，通过单晶X射线衍射技术...

本实用新型公开一种分离粘结的胶片的装置，属于影像档案保护与修复技术领域，包括分离桶，所述分离桶内设置有分离腔体，分离腔体上设置有进气口和出气口，进气口用于接入高压气体，分离腔体上设置有胶片夹，胶片夹用于夹持粘结的胶片。通过高压气体形成高...

本发明公开了一种以含氧羧酸为配体的茂钛配合物及其制备方法和应用，该配合物的结构式为

一种安全的两方协作SM2签名方法，由系统初始化、协商生成签名公钥、协作签名、输出完整签名步骤组成。本发明采用在协商签名公钥和协作签名之前，通信双方用零知识证明技术认证对方的身份，用承诺技术保证输出完整签名的正确性，用同态加密技术保证第一...

本发明提供一种结合块旋转和马赛克的无嵌入伪装重构方法，首先将多个分辨率为(2r‑1)×(2r‑1)的灰度图像转换为具有伪随机转角半径为r的圆形图像，通过生成随机整数坐标序列来决定密图划分的比特位串在掩体上的隐藏位置；其次对于隐藏和非隐藏...

一种基于全卷积神经网络单张图像的超分辨率图像重建方法，由对采集的图像进行分割、制作网络训练集和测试集图像进行预处理、构建全卷积神经网络、训练全卷积神经网络、重建测试集图像的超分辨率图像步骤组成，由于本发明构建了一个由原始图像特征提取模块...

一种多用途过滤器,过滤器本体的外壁设置有把手，过滤器本体的中心位置与过滤器本体连为一体设置有漏斗，漏斗与过滤器本体之间形成封闭的储液槽，过滤器本体顶部与储液槽相连通的设置有进液管和排气管，进气管上设置有进液盖，排气管上设置有排气盖；本实...

本发明公开了一种加压二氧化碳重整甲烷制合成气的稀土改性镍基催化剂，该催化剂的载体是SiO2、Al2O3、TiO2中至少一种，活性成分为Ni、Ni‑Fe或Ni‑Co，助剂为La2O3、Sm2O3、Pr6O11、Nd2O3、Y2O3等稀土氧...

本发明涉及野生水麻叶提取物，其是以野生水麻叶为原料经干燥、粉碎、超声波辅助溶剂萃取、过滤、离心、减压蒸馏、大孔树脂吸附和解吸附、减压蒸馏、真空冷冻干燥制得，本发明的野生水麻叶提取物中特定多酚含量高，富含绿原酸、咖啡酸等酚酸物质，尤其是绿...

本发明公开了一种基于多样本支持度融合的SAR目标识别方法，该方法的步骤包括：预处理，去除背景杂波，得到训练样本图像、测试样本的图像的归一化子图像；构建训练样本列向量以及测试样本列向量，利用训练样本列向量构造字典矩阵，求解测试样本列向量的...

本实用新型公开了一种用于文物表面铅白返铅修复的复合电极装置，属于文物修复设备技术领域。本实用新型在绝缘管的底端端部间隔设置若干导电基体，并在导电基体的下表面镀有二氧化铅层，同时，在导电基体和二氧化铅层形成的复合结构的上表面及内侧面涂覆有...

本发明公开了一种土壤钝化剂的制备方法及改性方法与应用，以煤矸石为原料，合成NaY型沸石分子筛，并探讨了各个因素对NaY型沸石分子筛合成的影响。将所得的沸石分子筛用硫化铁进行改性，将合成沸石与改性沸石分别作用于重金属污染土壤钝化修复，在土...

本发明公开了一种加压二氧化碳重整甲烷制合成气的镍基复合催化剂，该催化剂的载体是SiO2、Al2O3、TiO2中至少一种，活性成分为Ni、Ni‑Fe或Ni‑Co，助剂为CeO2‑La2O3、CeO2‑Sm2O3、CeO2‑Pr6O11、C...

本实用新型公开了一种传统射箭用安全防护装置，包括支撑架，所述支撑架内腔中央连接有水平的支撑板，所述支撑板上方设有射箭窗口，所述射箭窗口内侧连接有透明的箭道护板，所述箭道护板底部开设有射击口，所述射击口底部设有放置台，且所述放置台水平连接...

一种隐形空间可调的光学隐身演示装置与隐身空间扩展方法，底座上一端设有前V形水槽、另一端设有与前V形水槽结构相同的后V形水槽，后V形水槽V形开口与前V形水槽V形开口相对，前V形水槽关于中垂面对称，前V形水槽与后V形水槽的中垂面位于同一平面...

一种大尺度开放式光隐身装置，在底座上的后侧设V形水槽、前侧设与V形水槽的V形开口相对的发光匀光画板，V形水槽与发光匀光画板之间设以V形水槽的中垂面为中心面相互对称且结构相同的右三角形水槽和左三角形水槽，左三角形水槽的前直角侧壁与V形水槽...

本发明公开了一种磁控溅射沉积铁膜和氧化铁膜的方法，通过在靶枪和铁靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铝圆片、铜圆片等，来降低铁靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积铁膜及氧化铁膜。本发明方法操作简单，制得的铁膜及氧化铁膜致密，且均匀...

本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法，通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片，如铜圆片、铝圆片等，来降低钴靶的磁屏蔽效应，从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单，制得的钴膜及氧化钴膜致密，且均匀...