本发明公开了无DC-DC变换的单级式光伏逆变MPPT方法，所述方法包括如下步骤：(1)最大功率点迁跃时启动MPPT算法；(2)基于正弦波单周期或半周期的MPPT控制算法。本发明使逆变系统达到要求的动态性能指标，获得很高的逆变效率。

本实用新型公开了一种用于等离子体增强化学气相沉积设备的多腔室气路系统，该系统包括：八种气路，分别为H2气路、Ar气路、CH4气路、PH3气路、SiH4气路、GeH4气路、TMB气路和NF3气路。设置氩气吹扫气路可对腔室和气路进行清洗。设...

本发明公开了一种多晶硅太阳能电池的表面催化制绒方法，该方法包括：碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；采用表面喷涂的方法把具有催化作用的金属纳米颗粒喷涂在多晶硅片的一表面；酸性溶液蚀刻多晶硅表面形成蜂窝状形貌的绒面结构；碱性溶液蚀刻...

本发明公开了一种CdTe太阳能电池的复合透明导电薄膜及制备方法，该复合透明导电薄膜由绿色环保的ZnO:Al和Zn2SnO4构成，该方法通过磁控溅射生长及高温快速退火处理形成复合透明导电薄膜。本发明的优点是：薄膜材料具有无毒、来源丰富、价...

本实用新型公开了一种非晶硅光伏多彩幕墙玻璃，包括：透明玻璃基底，在玻璃基底上依次制备有非导电的对太阳光不吸收的光学介质膜层、透明导电膜、用于太阳光吸收和光电转换的非晶硅ｐ－ｉ－ｎ层和金属电极。使光学介质膜层与透明玻璃基底、透明导电膜、非...

本发明公开了一种氧化锌透明导电薄膜的低温制备方法及专用靶材，该方法用V2O5作为ZnO的掺杂材料并制备成陶瓷靶材，用高纯Ar对衬底进行等离子体反溅射清洗，而后低温生长掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是利用V5+替代Zn2+离子，V5...

本发明公开了一种用于晶体硅太阳电池的复合钝化减反膜及制备方法，该复合钝化减反膜由依次置于晶体硅太阳电池迎光面发射极上的氧化硅层、非晶氧化铝层和非晶氮化硅层构成。该方法是采用PECVD工艺或ALD工艺在晶体硅太阳电池迎光面发射极上制备a-...

本实用新型公开了一种用于太阳能电池芯片及组件的Ｉ－Ｖ特性测试系统，该系统包括：模拟太阳光测试环境、Ｉ－Ｖ测试电路和多路数据采集器。模拟太阳光测试环境由温度可控可调的恒温测试箱，置于测试箱中的功率可以连续调节的模拟太阳光长弧氙灯、辐照度计...

本实用新型公开了一种配备有太阳能电池的人体能量消耗监测仪，它是利用太阳能电池作为人体能量消耗监测仪的能量来源。在仪器中设有太阳能电池，并配有蓄电池，太阳能电池将光能转化成电能储存在仪器内部的蓄电池当中，以便给人体能量消耗监测仪提供电源。...

本发明公开了一种用于太阳能电池的ＣｕＩｎＳｅ２－ｘＳｘ薄膜的制备方法。该方法是基于电化学共沉积前驱体薄膜、硫化或硒化处理两个步骤。本发明方法所涉及的制备设备简单、反应条件温和，极大地降低了薄膜的制备成本。此外，本发明方法还有一个显著的特...

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法。它是采用化学溶液方法将铜、铟、镓的硝酸盐或氯化盐溶于醇类，将高纯硒粉溶于胺类，按一定原子组分比将两份溶液混溶在一起，并加入适量的粘度调节剂，配成稳定的前驱体溶液。采用非真空工艺在衬底上制备前驱...

本发明公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法，该电池包括：在硅单晶基片上依次制备有吸收层、作为窗口层的非晶硅层、透明导电膜层和金属栅线。所说的吸收层为硅量子点类超晶格结构层，该结构层由多个周期，每个周期依次有叠合的ＳｉＯ２层和量子点纳米硅...

本发明公开了一种高纯多晶硅的提纯系统及用该系统制备高纯多晶硅的方法，该系统包括：置于密闭腔体中的硅料熔化装置、电迁移装置和定向凝固装置。硅料熔化装置和电迁移装置通过第一溢流管连接，电迁移装置和定向凝固装置通过第二溢流管连接。该方法的特征...

本发明公开了一种ｎ型晶体硅的制备方法，该方法的特征是：在制造多晶硅锭或单晶硅棒的晶体生长过程中，将一个平行于晶体生长方向的直流电场施加于熔融硅液，使液相中的掺杂向固液界面方向迁移，在电场和凝固偏析的双重作用下，在晶体生长先端的液相中形成...

本发明公开了一种在直流电场作用下定向凝固提纯多晶硅的方法，该方法是在多晶硅定向凝固晶体生长过程中，对熔融硅液施加一个与晶体生长方向平行的直流电场，使杂质在电场作用下迅速向电极方向迁移，即阳离子杂质向阴极方向迁移，阴离子杂质向阳极方向迁移...

本发明公开了一种Ｇａ掺杂ｐ型晶体硅的制备方法，该方法的特征是在多晶硅锭或单晶硅棒的晶体生长过程中，将一个平行于晶体生长方向的直流电场施加于熔融硅液，使液相中的Ｇａ掺杂向固液界面方向迁移，在电场和凝固偏析的双重作用下，在晶体生长先端的液相...

本发明公开了一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置，该方法是将硅与一种或几种低熔点金属加热熔融形成合金熔体，通过专用的水冷提拉装置使硅晶体从合金熔体中不断析出，而使大部分Ｂ、Ｐ及其他杂质留于合金熔体中，达到除杂的效果。该专用...

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池背点接触结构的制备方法，具体是指对已制备好绒面结构和Ｐ－Ｎ结的清洗后的样品背表面用丝网印刷制备光刻胶点列阵，而后用真空镀膜或ＰＥＣＶＤ的方法制备ＳｉＯ２钝化膜，并用碱溶液去除光刻胶点列阵，从而形成背点接触...

本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法的特征是：利用在硅基片上生长Ｐ－Ｎ结时，在Ｐ－Ｎ结上自然形成的磷硅玻璃层，采用丝网印刷的方法，保留电极区下的磷硅玻璃层，由于磷硅玻璃层内含有较高的磷原子，对电极区下的磷硅玻璃...

一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻／高阻复合膜的制备方法，其特征在于步骤如下：　§Ａ将准备生长透明低阻／高阻复合膜的样品和导电氧化物靶材放入磁控溅射设备的真空腔内，采用机械泵和分子泵对真空腔抽至（４～８）×１０↑［－４］Ｐａ本底真空；　 ...