本发明属于半导体光电子领域，涉及半导体薄膜材料的外延生长和氢化物气相沉积(HVPE)技术领域，为一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法。该方法不仅操作简便，成本低廉，还能够显著降低外延膜因热应力产生的翘曲度，以获得接近零翘曲的GaN外延层。

一种宽禁带半导体材料的生长和分离方法。该方法相比化学法腐蚀衬底、激光剥离衬底等传统方法，可实现更加低成本和高效率的目的。本发明利用横向过生长所需的掩膜层，通过外部输入电压信号，使得缓冲层薄膜产生变化，实现了HVPE外延生长的氮化镓层与衬...