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上海晶玺电子科技有限公司专利技术
上海晶玺电子科技有限公司共有13项专利
金属化方法技术
本发明公开了一种金属化方法,其包括:S1:在PN结构的正面和背面形成氧化硅;S2:去除该PN结构背面预定区域的氧化硅;S3:采用碱性试剂蚀刻该PN结构的背面,并由此在该第一导电类型衬底中形成楔形凹槽,并且该氧化硅靠近预定区域的一侧形成突...
掺杂方法技术
本发明公开了一种掺杂方法,包括:在第一导电类型衬底的背面注入第一导电类型离子以形成第一导电类型注入层;通过热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层,并且扩散过程中在该第一导电类型掺杂层和该第一导电类型注入层上分别形成...
双面电池的制作方法技术
本发明公开了一种双面电池的制作方法,包括:S1:在硅衬底的正面生长氧化铝;S2:将硼离子注入至氧化铝中,将V族离子注入至该硅衬底的背面;S3:对步骤S2得到的结构进行退火处理,同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。本...
刻蚀方法技术
本发明公开了一种刻蚀方法,包括以下步骤:S1、提供一PN结构,该PN结构包括一第一导电类型衬底,形成于该第一导电类型衬底背面中的凹槽,以及形成于该第一导电类型衬底的背面中的第一导电类型掺杂区域以及形成于该凹槽表面中的第二导电类型掺杂区域...
背接触电池和双面电池的金属化方法技术
本发明公开了一种背接触电池和双面电池的金属化方法,该背接触电池的金属化方法包括:S1、形成一PN结构,该PN结构包括第一导电类型衬底,和位于该第一导电类型衬底的背面中的第一导电类型掺杂区域以及位于凹槽表面中的第二导电类型掺杂区域;S2、...
掺杂方法技术
本发明公开了一种掺杂方法,包括以下步骤:在第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面;通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层和第一氧化层;在第一导电类型衬底的背面中扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层,并在该第二导电类型掺杂...
导光元件和太阳能电池组件制造技术
本发明公开了一种导光元件和太阳能电池组件。该导光元件用于置于太阳能电池组件的边缘处,边缘太阳能电池片的外边缘与该框架的内缘之间形成第一间隙,该导光元件包括出射面、入射面和反射面,该入射面用于接收入射至该第一间隙处的入射光,该入射光进入该...
太阳能电池组件制造技术
本发明公开了一种太阳能电池组件,其包括至少一个可双面受光的太阳能电池片或者超薄的太阳能电池片、覆盖于该太阳能电池片正面的保护玻璃,该太阳能电池组件还包括位于该太阳能电池片背面的微结构层,该微结构层用于反射自该太阳能电池片透射的透射光使该...
蚀刻方法技术
本发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤:步骤S1、提供一衬底,该衬底具有掺杂区域,该掺杂区域上覆盖有一金属层,该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分;步骤S2、采用蚀刻剂蚀刻该金属层,在蚀刻的同时对该金属层施加电流以...
导光元件和太阳能电池组件制造技术
本实用新型公开了一种导光元件和太阳能电池组件。该导光元件用于置于太阳能电池组件的边缘处,边缘太阳能电池片的外边缘与该框架的内缘之间形成第一间隙,该导光元件包括出射面、入射面和反射面,该入射面用于接收入射至该第一间隙处的入射光,该入射光进...
太阳能电池组件制造技术
本实用新型公开了一种太阳能电池组件,包括太阳能电池片、覆盖于太阳能电池片上的保护玻璃以及用于固定太阳能电池片、保护玻璃的框架,边缘太阳能电池片的外边缘与该框架的内缘之间形成第一间隙,该边缘太阳能电池片为太阳能电池组件中最接近该框架的太阳...
危险气体安全输送系统技术方案
本发明公开了一种危险气体安全输送系统,其包括一密封柜,该密封柜中置有至少一个危险气体钢瓶,以及:一用于将该危险气体输出至一危险气体的使用端的危险气体输送线;与每个危险气体钢瓶一一对应的输送管道,该输送管道连接于该危险气体钢瓶与该危险气体...
危险气体安全输送系统技术方案
本实用新型公开了一种危险气体安全输送系统,其包括一密封柜,该密封柜中置有至少一个危险气体钢瓶,以及:一用于将该危险气体输出至一危险气体的使用端的危险气体输送线;与每个危险气体钢瓶一一对应的输送管道,该输送管道连接于该危险气体钢瓶与该危险...
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中兴通讯股份有限公司
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三星电子株式会社
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清华大学
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腾讯科技深圳有限公司
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