本发明涉及固体电解质、包括固体电解质的电化学电池、和制备固体电解质的方法。固体电解质包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，M为Na、K、Ca、Fe、Mg、Ag、Cu、Zr、Zn、或其组合；X为Cl、Br、F、I、拟卤素、或其组合；并且...

全固体二次电池包括正极层；负极层；以及设置在所述正极层和所述负极层之间的固体电解质层，其中所述正极层包括正极集流体、设置在所述正极集流体上的正极活性材料层、和设置在所述正极活性材料层的至少一个侧表面上的无活性构件，其中所述负极层包括负极...

公开了一种用于可再充电锂电池的负极活性物质和包括其的可再充电锂电池，其中，负极活性物质包括Si纳米颗粒和非晶碳，具有约0.7或更大的球形度(长径比)和10m

本发明涉及化合物、固体电解质、电化学电池、制备化合物的方法和经保护的正极活性材料。化合物由式1表示并且具有硫银锗矿型晶体结构，在式1中，M1为除Li之外的周期表第1族至第15族的至少一种金属元素，M2为SO

本发明涉及固体电解质、包括固体电解质的电化学电池、和制备固体电解质的方法。固体电解质包括由式1表示的具有硫银锗矿晶体结构的化合物，其中在式1中，M为Na、K、Fe、Mg、Ca、Ag、Cu、Zr、Zn、或其组合；X为Cl、I、或其组合；以...

本发明提供了：正性光敏树脂组合物，其包含(A)碱溶性树脂、(B)光敏重氮醌化合物、(C)由特定化学式表示的化合物、和(D)溶剂；使用其制造的光敏树脂膜；以及包括该光敏树脂膜的电子设备。

用于可再充电锂电池的电解质和包括该电解质的可再充电锂电池，该电解质包括非水性有机溶剂；锂盐；和添加剂，其中添加剂包括由化学式1表示的化合物：[化学式1]

公开了包括锂镍基复合氧化物的用于可再充电锂电池的正极活性物质、其制备方法和包括其的可再充电锂电池，所述锂镍基复合氧化物包括具有不同平均粒径的大直径颗粒和小直径颗粒，其中大直径颗粒包括包含多个初级颗粒的大直径次级颗粒并且小直径颗粒包括锂卤...

提供一种用于制造电极板的方法以及通过该方法制造的电极板，其中涂层形成在膜上，通过分切被切开，被层压在基板上以制造电极板，从而防止涂层和基板被损坏并改善电极板的单位面积的效率。用于制造电极板的方法包括：制备包含活性材料的浆料的浆料制备工艺...

本发明提供：酞菁类化合物，呈现相对于在600纳米到620纳米范围内的最大吸收波长的半峰全宽的最短波长；包含酞菁类化合物的感光性树脂组合物；使用感光性树脂组合物产生的感光性树脂层；包含感光性树脂层的彩色滤光片；以及包含彩色滤光片显示装置。...

本发明提供一种硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法，所述硬掩模组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元。在化学式1中，A、B以及R1到R5的定义如本说明书中所描述。所述硬掩模组合物能够改进耐蚀刻性和膜密度。[化...

本发明公开用由化学式1或化学式2表示的化合物表面修饰的量子点、包含量子点的可固化组合物、固化层以及彩色滤光器。在化学式1和化学式2中，每个取代基与说明书中所定义的相同。本发明提供一种用特定化合物表面修饰的量子点，特定配体对量子点具有非常...

本发明涉及一种二次电池材料的自动替换装置，利用该自动替换装置，当替换隔膜或电极板供给卷轴时，可以自动替换供给卷轴，而不停止二次电池的生产工艺。根据本发明的实施例，当替换用于隔膜或电极板的供给卷轴时，可以自动替换供给卷轴，而不停止生产工艺...

本公开的实施例涉及一种用于激光焊接的推动装置，该推动装置包括：主体，结合到焊接设备的一侧并且包括设置在主体的一侧处的铰接部和与铰接部间隔开的结合部；支撑臂，具有可旋转地结合到铰接部的一端以及沿与铰接部相反的方向延伸并且在预设角度范围内旋...

本发明涉及用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置和显示装置。具体地，本发明公开了用于有机光电装置的由化学式1表示的化合物，包括该化合物的有机光电装置以及显示装置。在化学式1中，每个取代基与说明书中描述的相同。[...

公开了一种用于激光焊接装置的保护模块，其包括：第一盖，具有允许通过穿过激光焊接装置的保护玻璃发射的激光束穿过其的中空孔；第二盖，在与第一盖的结合状态下设置在激光焊接装置的主壳体的一侧上，结合到支撑保护玻璃的光学系统壳体，且具有允许激光束...

本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。其中硅烷由式1表示。其中硅烷由式1表示。

提供了一种电池系统。所述电池系统包括：第一电池模块和第二电池模块，在第一系统端子与第二系统端子之间并联连接；以及控制器，控制第一电池模块和第二电池模块。第一电池模块包括第一电池和第一主开关以及与第一主开关并联连接的第一平衡开关和第一平衡...

本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增...

本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化...