硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法技术

本发明专利技术提供一种硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法，所述硬掩模组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元。在化学式1中，A、B以及R1到R5的定义如本说明书中所描述。所述硬掩模组合物能够改进耐蚀刻性和膜密度。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法相关申请的交叉引用本申请要求2019年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0127125号的优先权和权益，所述专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
公开一种硬掩模组合物、一种包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层以及一种使用硬掩模组合物形成图案的方法。
技术介绍
近来，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米大小的图案的超精细技术。此类超精细技术主要需要有效的光刻技术。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光致抗蚀剂层；曝光且显影光致抗蚀剂层以提供光致抗蚀剂图案；以及使用光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻材料层。当今，根据待形成的图案的小尺寸，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光致抗蚀剂层之间形成称为硬掩模层的辅助层来提供精细图案。
技术实现思路
实施例提供能够改进耐蚀刻性的硬掩模组合物。另一实施例提供包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层。<br>另一实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硬掩模组合物，包括：/n聚合物，包含由化学式1表示的结构单元，以及/n溶剂：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20191014 KR 10-2019-01271251.一种硬掩模组合物，包括：
聚合物，包含由化学式1表示的结构单元，以及
溶剂：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
A是经取代或未经取代的亚芘基，
B是氢、氘、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、卤素、硝基、氨基、羟基或其组合，
R1到R5独立地是氢、氘、羟基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C3到C30杂环基或其组合，且
R1到R5中的至少两个独立地是羟基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基或其组合。


2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中
A是未经取代的亚芘基，或
由至少一个取代基取代的亚芘基，
其中所述取代基独立地是氘、羟基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C3到C30杂环基或其组合。


3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中A是未经取代的亚芘基或由至少一个羟基取代的亚芘基。


4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中R1到R5中的两个或三个独立地是羟基、经取代或未经取代的甲氧基、经取代或未经取代的乙氧基、经取代或未经取代的丙氧基、经取代或未经取代的丁氧基或其组合。


5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中
R3和R4独立地是羟基、经取代或未经取代的甲氧基、经取代或未经取代的乙氧基、经取代或未经取代的丙氧基、经取代或未经取代的丁氧基或其组合；
R3和R5独立地是羟基、经取代或未经取代的甲氧基、经取代或未经取代的乙氧基、经取代或未经取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昇炫，郑铉日，金尙美，金铃根，朴相喆，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR