三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有64087项专利

  • 一种调节器可以包括:放大器,被配置为放大输入电压和反馈电压之间的差以获得经放大电压并且将经放大电压施加到第一节点;缓冲器,连接到第一节点并且被配置为缓冲经放大电压以获得功率栅极电压并且将功率栅极电压施加到第二节点;第一功率晶体管,包括连...
  • 一种存储器装置,包括被配置为产生在输入/输出电路中使用的第一时钟信号和第二时钟信号的分相电路。分相电路包括:第一延迟路径,其被配置为输出第一延迟信号;第二延迟路径,其被配置为输出第二延迟信号;第三延迟路径,其被配置为输出第三延迟信号;以...
  • 根据一个实施例的电子装置可包括:相机模块,包括相机;存储器,用于存储指令;以及至少一个处理器,被可操作地连接到相机模块和存储器。相机模块可包括:镜头单元,包括至少一个镜头;图像传感器,用于将接收到的光转换为电信号;以及光学图像稳定器,用...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。提供了一种由无线通信系统中的终端执行的方法。该方法包括:向第一基站发送无线电资源控制(RRC)消息的第一段,从第一基站接收切换命令消息,基于切换命令消息执行到第二基站的切换,向第二...
  • 显示装置包括:显示器;壁挂件,用于安装所述显示器;以及壁挂件固定装置,用于固定所述壁挂件。所述壁挂件固定装置包括:延伸支架,用于固定所述壁挂件;第一支架,包括安装在配置于墙面的安装槽内部的安装板和在所述安装板配置为向所述安装槽的外部突出...
  • 提供了一种用于请求相机的远程控制的方法和电子装置。一种电子装置向外部电子装置请求用于拍摄的远程控制的方法可以包括:运行用于使用电子装置的相机进行拍摄的相机应用的操作;基于相机应用被运行,识别电子装置的折叠状态的操作,该折叠状态包括当电子...
  • 提供了一种存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括字线;主信号逻辑,被配置为:响应于字线基于刷新命令或激活命令被选择而生成第一地址信号,并且响应于字线基于预充电命令被选择而生成第二地址信号;以及计数逻辑...
  • 提供了支持功率效率模式的存储器装置。所述存储器装置包括第一命令地址(CA)电路和第二CA电路,其中,第一CA电路基于第一子通道信号的第一命令地址信号来生成第一子通道命令信号、第二子通道命令信号和第一子通道地址信号,并且第二CA电路基于第...
  • 一种显示设备包括像素阵列,像素阵列包括多个像素单元、半导体堆叠件、间隔件、反射电极和多个连接电极。半导体堆叠件包括第一导电类型半导体基层和多个发光二极管(LED)单元,多个LED单元包括堆叠在第一导电类型半导体基层上的有源层和第二导电类...
  • 根据本公开的实施例的一种电子装置可包括:电池,包括具有第一长度的正电极和具有与第一长度不同的第二长度的负电极;扬声器,与电池堆叠;以及支架,被设置在电池与扬声器之间,并且具有设置在面向电池的第一表面上的导电构件,导电构件具有沿着第一表面...
  • 一种计算存储系统,包括:存储装置,被配置为存储第一神经网络模型、第二神经网络模型和解释器神经网络模型;以及计算装置,其被配置为基于第一训练表、第二训练表和第一变换表,通过使用解释器神经网络模型将在第一神经网络模型和第二神经网络模型之间发...
  • 像素包括:第一像素电路,其包括至少一个转移晶体管并且被配置为输出第一像素信号;光电转换元件,其具有与第一像素电路耦接的第一端;以及第二像素电路,其与光电转换元件的第二端耦接。第二像素电路包括:电流镜电路,被配置为放大从光电转换元件的第二...
  • 一种功率半导体装置可包括:第一导电类型的基底;第一导电类型的漂移层,在基底上;第二导电类型的阱区域,在漂移层中并且延伸到漂移层的上表面中;第一导电类型的源极区域,在阱区域中并且延伸到阱区域的上表面中;绝缘衬垫,在漂移层上;栅极结构,在绝...
  • 提供一种用户设备操作方法和数据通信系统操作方法。所述用户设备操作方法包括:通过测量从雷达发送的雷达信号来生成关于多个雷达时段的时间测量信息,在所述多个雷达时段中,雷达信号在第一频带上被接收;将时间测量信息报告给基站;从基站接收基于时间测...
  • 一种用于制造半导体装置的方法包括:在基底上顺序地形成下电极层、磁性隧道结结构层、第一上电极层和第一蚀刻停止层。去除第一蚀刻停止层的一部分,并且形成第二上电极层。在第二上电极层上顺序地形成第二蚀刻停止层和牺牲电极层。将下电极层、磁性隧道结...
  • 提供了具有绝缘图案的半导体装置。所述半导体装置包括:位线结构;背栅极结构,设置在位线结构上,并且包括背栅电极和覆盖背栅电极的侧表面和下表面的背栅极介电层;字线结构,设置在位线结构上,并且包括字线和覆盖字线的侧表面和下表面的栅极介电层;有...
  • 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括:下晶体管,包括下沟道结构和连接到下沟道结构的下源极/漏极结构;以及在下晶体管上方的上晶体管,上晶体管包括上沟道结构和连接到上沟道结构的上源极/漏极结构,其中上沟道结构的一部...
  • 一种磁存储器件包括:存储单元,连接到位线和字线,并且包括第一磁隧道结元件;以及第二磁隧道结元件和金属字线,在字线上,并且电连接到字线。
  • 一种设置非易失性存储器件的初始化数据块的方法包括:生成要编程到初始化数据块中的初始化数据和虚设模式;将用于对非易失性存储器件进行初始化的初始化数据编程到与初始化数据块的初始化数据区域相对应的第一NAND单元串的存储单元中;以及将虚设模式...
  • 公开了一种图像传感器,包括:衬底,其具有由像素隔离结构限定的像素区域;在像素区域中的第一有源区域和器件隔离结构;以及在像素区域上的源极跟随器栅极电极。第一有源区域具有鳍状横截面,并且源极跟随器栅极电极覆盖第一有源区域的顶表面和第一有源区...