本公开提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：位线，在基板上在第一水平方向上延伸；沟道层，在位线上并穿透到位线的一部分中，包括包含铟(In)的氧化物半导体材料，沟道层具有内壁和外壁；栅极绝缘层，在沟道层的内壁的一侧上，栅极绝缘层具有内...

根据本文公开的实施例的可穿戴电子装置可以包括：镜片框架，形成为容纳显示构件；成对的可穿戴构件，连接到所述镜片框架的相应端部；至少一个座部区域；以及至少一个支承结构，连接到座部区域。成对的可穿戴构件各自可以包括第一表面和面向与第一表面相对...

提供了一种半导体封装、其制造方法和包括其的电子系统，该半导体封装包括：包括贯穿硅通路的硅衬底、在硅衬底的第一表面上的第一堆积层、在硅衬底的第二表面上的第二堆积层、以及包括在硅衬底、第一堆积层和第二堆积层中的至少一个中的至少一个集成的堆叠...

一种集成电路器件可以包括：第一晶体管，包括在第一水平方向上具有第一宽度的第一纳米片、围绕第一纳米片并在第一纳米片的在垂直于第一水平方向的第二水平方向上的第一侧上延伸的第一栅极结构、以及在第一纳米片的在第一水平方向上的相对侧上的第一源极/...

提供一种半导体装置，该半导体装置包括：外围电路结构；以及单元结构，其位于外围电路结构上并且包括单元区域和连接区域。单元结构包括：在单元区域和连接区域中在第一方向上交替的栅电极和模制绝缘层；沟道结构，其穿过栅电极并且在第一方向上延伸；单元...

提供了用于高速列车‑单频网络（HST‑SFN）场景的电子装置和无线通信系统。所述用于高速列车‑单频网络（HST‑SFN）场景的电子装置包括：处理电路，被配置为：从服务基站（BS）接收第一下行链路信号并且从相邻BS接收第二下行链路信号，第...

一种半导体器件可以包括：位线，在第一方向上延伸；位线电介质层，在位线的侧壁上；沟道层，与位线接触；字线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极覆盖层，与字线的第一侧壁接触；栅极电介质层，与沟道层和字线的第二侧壁接触；以及第一电介质结构，...

本公开涉及一种用于支持更高数据发射速率的5G或6G通信系统。提供了一种用于在无线网络中处理局域数据网(LADN)服务区域的方法。由无线通信系统的访问和移动性管理功能(AMF)实体执行的所述方法包括：从用户设备(UE)接收指示UE支持依据...

提供了一种由无线通信系统中的用户设备(UE)执行的方法。该方法包括：从服务小区的基站接收无线电资源控制(RRC)重配置消息，该RRC重配置消息包括与层1(L1)或层2(L2)触发的移动性(LTM)相关联的一个或多个候选目标小区的配置；向...

提供了存储操作参数的多个参数码的设备、存储器装置和方法。所述存储器装置包括模式寄存器和控制逻辑电路。为了设置一个操作参数的第一操作条件和第二操作条件，模式寄存器存储所述一个操作参数的第一参数码和被表示为相对于第一参数码的偏移值的第二参数...

提供了一种操作存储设备的方法。该方法包括：将元数据更新到元数据缓冲器；将对应于元数据的日志数据写入日志缓冲器中；基于日志数据当中的元数据的回放中涉及的有效日志的数量，确定日志数据与元数据之间的组成比率；根据确定的组成比率在元写入缓冲器中...

在一个实施例中，一种方法包括获得初始图像，并将一个或多个N个图像滤波器的集合中的每个图像滤波器应用于初始图像以创建N个滤波图像。该方法还包括针对包括初始图像和N个滤波图像的图像集中的每对图像来生成相似性度量，并基于相似性度量来确定图像集...

本发明涉及包括存储单元串的垂直非易失性存储器器件和电子设备。垂直非易失性存储器器件可包括二维布置的多个存储单元串。所述多个存储单元串各自可包括在第一方向上延伸的沟道层、在所述第一方向上交替布置并且各自在第二方向上延伸的多个栅电极和多个间...

一种半导体器件可以包括：下堆叠，包括第一下字线、至少部分地被第一下字线围绕的第一下沟道层、以及连接到第一下沟道层的下数据存储结构；在下堆叠上的层间绝缘层；以及在层间绝缘层上的上堆叠，上堆叠包括上字线、至少部分地被上字线围绕的上沟道层、以...

提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括由第一器件隔离膜限定的第一有源区域；位线接触件，在第一有源区域中；以及位线，在衬底上沿第一方向延伸，其中，位线包括：下导电层，在衬底上并且围绕位线接触件的侧壁的至...

提供一种集成电路，该集成电路包括：第一管芯，包括第一基板和穿透第一基板的多个贯穿硅通路(TSV)；和第二管芯，在垂直于第一管芯的平面内方向的垂直方向上设置在第一管芯下方并包括第二基板和电连接到所述多个TSV中的分开的相应TSV的多个导电...

本公开提供了封装结构以及形成封装结构的方法。一种封装结构包括第一层，该第一层包括第一计算器件、第一器件堆叠以及在第一器件堆叠和第一计算器件之间的第二器件堆叠。第二层可以在第一层下面。第二层可以包括将第一计算器件电连接到第一器件堆叠的第一...

本公开涉及半导体装置，该半导体装置包括：衬底；下绝缘层，其位于衬底上方；位线，其位于下绝缘层上方并且在第一方向上与衬底平行地延伸；第一绝缘图案，其位于位线上方并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；沟道图案，其电连接到位线并且覆盖第一绝缘...

公开了堆叠集成电路（IC）封装件。所述堆叠集成电路（IC）封装件包括：封装基底；第一裸片，堆叠在封装基底上；第二裸片，各自堆叠在第一裸片上并且在第一裸片上彼此间隔开；以及加强件，堆叠在第一裸片上并且布置在第二裸片之间。

一种存储设备包括存储器设备和存储控制器，存储器设备具有第一擦除单元区域和具有高于第一擦除单元区域的位密度的位密度的第二擦除单元区域。存储控制器从第一电子控制单元接收包括指示危险的标签的写入命令，基于与写入命令一起接收的数据的汽车安全级别...