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塞恩技术有限公司专利技术
塞恩技术有限公司共有3项专利
离子源制造技术
本发明公开了一种用在薄膜离子辅助沉积中的离子源,其具有一个电离区(13);一个供气源(22),向电离区提供可电离气体;一个导致气体电离的气体激系统(11,12),用于将离子形成指向目标的离子流的离子影响装置,以及一个控制离子源从而间歇性...
离子源控制系统技术方案
一种从产生包括电源整流信号的阳极电压(215)的控制系统(201)操作的无格栅离子源,以便所述阳极电压在大于门限值的第一电压和小于所述门限值的第二电压之间调制。所述电源整流信号由接收电源输入(211)的变压器(210)提供。所述变压器(...
具有改进气体传输的离子源制造技术
本发明公开一种用于从等离子产生离子束的离子源(100)。在阳极(112)的中心处通过可电离气体的高能电子和分子之间的碰撞产生等离子。电子源自阴极丝,并且通过施加的电势被加速到阳极(112)。阳极的突起(123)和具有与阳极的轴线对齐的轴...
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