本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种含浮空场板的功率开关器件，包括浮空场板、第二场板、浮空场板竖直延伸区及第二场板竖直延伸区，浮空场板位于第二介电层中，第二场板位于第三介电层中，浮空场板位于第二场板远离漏电极的一侧，浮空场板与第二场...

本发明公开了一种GaN集成芯片和器件，GaN集成芯片包括耗尽型功率开关管和启机电路，耗尽型功率开关管具有第一源电极、第一漏电极和第一栅电极，启机电路至少包括启机器件、电容结构和二极管结构，启机器件具有第二源电极，第一源电极的一端与二极管...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆的制备方法，包括如下步骤：制备晶圆过渡结构，再在晶圆过渡结构的过渡层上进行图形化刻蚀，形成漏电极第三电极；再从晶圆过渡结构的第二介电层向下刻蚀出栅电极开窗口、源电极开窗口，或，刻蚀出栅电极开窗口、...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆，包括多个芯片，每个芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层；晶圆的漏电极包括漏电...

本发明涉及半导体领域，公开了一种低杂散电感GaN器件及其制备方法，GaN器件包括引线框架基座、GaN芯片和MOS芯片；引线框架基座包括基座本体、GaN器件的栅极、源极和漏极，基座本体上的第一导电区与GaN器件的源极电连接；GaN芯片设置...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种HEMT级联型器件，包括GaN芯片和MOS芯片，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电极，第一...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、栅结构、场板单元、栅连接组件、场板连接组件、栅驱动电阻、场板驱动电阻、第一介电层和第二介电层，栅结构设置有多个，场板单元包...

本发明公开了一种含多电势场板结构的器件及其制备方法，方法包括如下步骤：制备基础结构并在基础结构的第二介质层上进行刻蚀，形成栅电极孔；在栅电极孔中沉积n层金属并刻蚀，以形成n层场板金属；n层场板金属中，每层场板金属的热膨胀系数由第n层向第...

本发明公开一种适用于功率半导体器件的功率循环测试系统，包括控制电路、稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路具有与稳压电源相接的检流电阻，所述检流电阻串联有低阻开关器件；被测器件与低阻...

本发明公开一种功率循环测试系统，包括控制电路、稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路具有与稳压电源相接的检流电阻，所述检流电阻串联有低阻开关器件；被测器件与低阻开关器件相串联；所述检...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件的制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅电极位...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种HEMT级联型器件，包括耗尽型GaN器件，所述耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二...

本发明属于半导体技术领域，公开了晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法，晶圆过渡结构包括多个芯片，其一侧具有过渡层，每个芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电...

本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅结构GaN器件及其制备方法，GaN器件包括蓝宝石基底、MOS芯片和GaN芯片；蓝宝石基底的第一表面设置有第一区域和第二区域，第二区域包围第一区域，第一区域相对于第二区域呈凹槽状，第一区域对应的蓝宝...

本发明公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括...

本发明属于半导体技术领域，具体公开一种HEMT级联型器件，由耗尽型GaN器件与MOS器件共源共栅级联形成，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层...

本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件，包括漏电极、源电极、栅电极、多个电阻和多个场板，所述电阻的数量与所述场板的数量相等，多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过电阻连接在所述...