RIPD知识产权发展有限公司专利技术

RIPD知识产权发展有限公司共有9项专利

  • 本发明涉及用于主动过电压保护的装置,具体公开了一种电路保护装置。所述电路保护装置包括主动能量吸收器,所述主动能量吸收器联接在配电系统中的两条电力线之间并且配置成响应于过电压情况来选择性地传导故障电流。所述主动能量吸收器包括:过电压保护模...
  • 一种过压保护装置模块,包括导电的第一电极、导电的壳体电极和由变阻器材料形成并且电连接在第一电极和壳体电极之间的变阻器构件。壳体电极包括共同限定壳体腔的壳体端壁和壳体侧壁,以及在联结部处联结在一起的第一壳体构件和第二壳体构件。第一壳体构件...
  • 一种电气保护组件包括形成过电流保护电路的半导体间隙辅助(SGA)熔断器组件。SGA熔断器组件包括熔断器元件和与熔断器元件串联地电连接的半导体间隙组件。半导体间隙组件包括:第一间隙电极和相对的第二间隙电极;触发间隙,其限定在第一和第二间隙...
  • 一种浪涌保护装置包括第一电气端子、第二电气端子和连接在第一电气端子和第二电气端子之间的过电压保护电路。过电压保护电路包括在第一电气端子和第二电气端子之间的火花间隙组件。火花间隙组件包括:第一火花间隙(SG)电极和第二SG电极,其在它们之...
  • 一种电熔丝组件包括导电的第一和第二电极,以及双金属熔丝元件。所述双金属熔丝元件电连接所述第一和第二电极。所述双金属熔丝元件被配置成响应于电流超过所述双金属熔丝元件的所规定的触发电流达至少所规定的持续时间而解体,并且从而使所述第一电极与所...
  • 一种气体放电管组件,包括多单元气体放电管(GDT)。多单元GDT包括限定GDT腔室的壳体、位于GDT腔室中的多个内电极、位于GDT腔室中的触发电阻器、以及容纳在GDT腔室中的气体。内电极以间隔开的关系串联地设置在腔室中,以限定一系列单元...
  • 本发明涉及用于主动过电压保护的装置,具体公开了一种电路保护装置。所述电路保护装置包括主动能量吸收器,所述主动能量吸收器联接在配电系统中的两条电力线之间并且配置成响应于过电压情况来选择性地传导故障电流。所述主动能量吸收器包括:过电压保护模...
  • 一种气体放电管组件,包括多单元气体放电管(GDT)。多单元GDT包括限定GDT腔室的壳体、位于GDT腔室中的多个内电极、位于GDT腔室中的触发电阻器、以及容纳在GDT腔室中的气体。内电极以间隔开的关系串联地设置在腔室中,以限定一系列单元...
  • 一种浪涌保护装置(SPD)包括第一电端子、第二电端子和连接在第一和第二电端子之间的过电压保护电路。过电压保护电路包括气体放电管和串联连接到气体放电管的电流管理电路。电流管理电路包括在电流管理电路的第一节点和电流管理电路的第二节点之间并联...
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