一种天线，包括：基体；具有在所述基体内通过的导体的第１天线元件；以及具有板状或线状等导体部和连接导体的第２天线元件，其中，所述第１天线元件的导体的一端连接所述第２天线元件的连接导体，所述第２天线元件的连接导体连接于所述第２天线元件的导体...

本发明提供一种二端子对隔离器，具有铁氧体薄板、在所述铁氧体薄板上施加静磁场的永久磁铁、在所述铁氧体薄板中央设置的以彼此电绝缘状态交叉的第一以及第二中心导体、分别在所述第一以及第二中心导体的一端设置的第一以及第二输入输出端子、与所述第一以...

一种用于沿一个方向发送微波带高频信号的单向电路元件。通过采用具有特殊范围内的厚度的绝缘板以把垂直相邻条形电极之间的距离限定在特殊范围内，提高了单向电路元件的电气性能。此外，通过定形条形电极的端部从而使其与和其连接的电容器的顶面共面延伸，...

一种不可逆电路元件，包括：相互电绝缘且以规定的角度重叠起来的多个中心导体１１ａ～１１ｃ：与所述中心导体紧密相接或靠近的磁性体１２；匹配用电容器：为对中心导体１１ａ～１１ｃ和磁性体１２施加直流磁场而配置的永久磁铁３；以及容纳这些零部件并兼...

不可逆电路模块包括：（ａ）永久磁铁，对磁性体施加直流磁场，（ｂ）组合体，将一端为公共端、另一端为高频信号输入输出端的多个中心导体配置到磁性体上，（ｃ）多个负载电容，形成于具有导体层的多个介质层构成的叠层体中，被连接到中心导体上，（ｄ）第...

本发明提供一种２端子对隔离器，它具有：铁氧体薄板、永久磁铁、第一以及第二中心导体、第一以及第二输入输出端子、与所述第一以及第二中心导体的另一端相连的公共部、第一匹配用电容器、第二匹配用电容器、电阻元件；将从第一输入输出端子输入并从第二输...

本发明提供一种不可逆电路元件，具备：配置在第１输入输出端口与第２输入输出端口之间的第１电感元件；配置在所述第２输入输出端口与地之间的第２电感元件；与所述第１电感元件构成第１并联谐振电路的第１电容元件；与所述第２电感元件构成第２并联谐振电...

提供一种集中常数型不可逆电路元件，是具备多个中心电极、微波用磁性体、永久磁铁和兼作磁轭的金属壳体的集中常数型不可逆电路元件，所述中心电极配置在所述微波用磁性体的主面，所述微波用磁性体具有与所述主面垂直的侧面，从所述微波用磁性体侧面到所述...

一种非可逆电路元件，具备：第一电感元件，其连接在第一输入输出端口和第二输入输出端口之间；第二电感元件，其连接在第二输入输出端口和接地之间；第一电容元件，其连接在所述第一输入输出端口与所述第二输入输出端口之间，与所述第一电感元件构成并联振...

一种不可逆电路元件，其具备金属外壳、配置在所述金属外壳内底面的接地板、配置在所述接地板上且具有露出所述接地板的开口部的树脂部件、配置在所述树脂部件开口部的板状微波铁素体部件、配置在所述板状微波铁素体部件上的带状线部件、不经由其他板状微波...

一种双端口隔离器，具有：将连接在第一输入输出端口与第二输入输出端口之间的第一中心导体、和连接在第二输入输出端口与地线之间的第二中心导体配置到铁素体板上的中心导体装配体，所述第一及第二中心导体由在绝缘性基板的两面形成的２个带状导体图案构成...

一种非可逆电路元件，具备：配置于第一输入输出端口（Ｐ１）和第二输入输出端口（Ｐ２）之间的第一电感元件（Ｌ１）；与所述第一电感元件（Ｌ１）并联连接，构成第一谐振电路的第一电容元件（Ｃｉ）；与所述第一并联谐振电路并联连接的电阻元件（Ｒ）；配...

本发明提供一种多晶陶瓷磁性材料，其特征在于，具有由通式：（Ｙ↓［３－ｘ－ｙ－ｚ］Ｂｉ↓［ｘ］Ｃａ↓［ｙ］Ｇｄ↓［ｚ］）（Ｆｅ↓［５－α－β－γ－ε］Ｉｎ↓［α］Ａｌ↓［β］Ｖ↓［γ］Ｚｒ↓［ε］）Ｏ↓［１２］（其中，以原子比分别为：０．...

一种非可逆电路元件，具备：配置在第一输入输出端口和第二输入输出端口之间的第一电感元件、配置在第二输入输出端口和地之间的第二电感元件、与上述第一电感元件构成第一并联谐振电路的第一电容元件、与上述第一并联谐振电路并联连接的电阻元件、串联连接...

本发明提供储存ＭＥＡ的套管，其对于ＭＥＡ的电极反应中产生的甲酸具有满意的耐腐蚀性。还提供由具有最低可能比重的材料形成的外壳，其可以在不增加厚度尺寸的情况下对ＭＥＡ和集电器施加适合的推压力并且适于例如安装在小的便携式电子设备中的电源。所述...

本发明是关于一种散热材料，它由大体上按一个方向对齐的碳纤维和铜复合而成的复合材料构成，其特征在于：在散热材料中所说的铜的金属组织是再结晶组织。本发明能提供由碳纤维和铜复合而成的复合材料构成的具有高热传导率的散热材料。

提供一种通过ＭＥＭＳ技术制造的半导体传感器件，其中加工技术和／或材料技术与用于检测和测量各个物理量的半导体技术结合。在该半导体传感器件中，盖芯片和模制树脂中产生的破裂被消除，并保证半导体传感器芯片和盖芯片之间的气密性。通过使盖芯片的周围...

用于生产以Ｃｕ和Ｏ作为基本元素的层状钙钛矿结构的氧化物超导体的方法，该超导体有着均匀的结构。相当高的烧结密度和电流密度。本方法包括把ＣｕＯ作为一原材料和碳化物，氧化物或其混合物作为另一种原材料事先进行反应以产生含有Ｃｕ和Ｏ的一中间产物或...

硅基热电转换材料和热电转换元件，其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和电导率，这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组成的晶粒，其中至少一种添加元素淀积在晶粒边界处，结果得到了极大的Ｓｅ...

本文涉及氮化硅粉、其烧结体、基板以及含该基板的电路板和热元件模块。含有Ｍｇ和从Ｌａ、Ｙ、Ｇｄ以及Ｙｂ组成的一组中选择的至少一种稀土类元素，在将Ｍｇ换算为ＭｇＯ，将稀土类元素换算为稀土类氧化物（ＲＥ＃－［ｘ］Ｏ＃－［ｙ］）时，上述元素的氧...