本发明提供一种抑制蚀刻后的形状变化，并且在获得良好的抗蚀剂密接性及蚀刻加工性方面较佳的金属掩模用原材料及其制造方法。一种金属掩模用原材料，轧制方向上的表面粗糙度及与轧制方向正交的方向上的表面粗糙度均为0.05μm≤Ra≤0.25μm，R...

一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备R1－T－B系烧结磁体原材料(R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co)的工序；准备含有占整体的40质量％以上的必须包含Dy和Tb中的至少一种的稀土元素R2的合金粉末的工序；以比合金粉末的熔点...

本发明的技术课题在于提高R－T－B系烧结磁体的磁体特性。本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备通过雾化法制得的Pr－Ga合金粉末的工序；以比上述Pr－Ga合金粉末的熔点低250℃的温度以上...

课题在于：提高R‑T‑B系烧结磁体的磁体特性。解决课题的方案在于：本发明的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序；准备通过熔态旋凝法制得的Pr‑Ga合金的工序；以比上述Pr‑Ga合金的熔点低270℃的温...

包括：准备R1‑T‑B系烧结磁体原材料(R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co)的工序；准备含有必定包括Dy和Tb的至少一种的稀土元素R2占整体的40质量％以上的合金的工序；对上述合金以比上述合金的熔点低270℃的温度以上、熔点以下的温度...

平面阵列天线包括：具有多个辐射导体(30)和第一接地导体层(20)的辐射部(51)；和具有多个带状导体(10)和第二接地导体层(60)的供电部(52)，多个带状导体(10)在第一接地导体层(20)与第二接地导体层(60)之间，与多个辐射...

该二次电池的负极集电体用包层材料(50)包括：由含有0.005质量％以上0.50质量％以下的C、Ni和不可避免的杂质的Ni合金构成的Ni合金层(51)、分别接合在Ni合金层两面的含有99质量％以上的Cu的一对Cu层(52、53)。

本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：在R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序；使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr－Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区...

本发明提供一种具有高强度的刀具用原材料。一种刀具用原材料，以质量％计，C：0.5％～0.8％、Si≦1.0％、Mn≦1.0％、Cr：11％～15％、V：0.1％～0.8％，剩余部分为Fe及不可避免的杂质，并且厚度为0.5mm以下，其中，...

本发明提供一种模具的热疲劳寿命的预测方法。一种模具的寿命预测方法，其是预测具有硬度H的模具材料，重复接触被加工材料时的加热与接触被加工材料后的冷却的模具的热疲劳寿命的预测方法，求出通过接触被加工材料而得到加热的模具的温度分布，根据所述温...

平面天线包括：具有上表面和下表面的、含有层叠的多个陶瓷层的多层陶瓷构造(10)；位于多个陶瓷层(10)的一个分界面的至少一个发射导体(31)；和位于所述多层陶瓷构造的下表面、或多个陶瓷层的比所述发射导体靠下表面侧的一个分界面的地导体(3...

本发明包括：在R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布粘接剂的涂布工序；使由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域的附着工序；和在R－T－B系烧结磁体的烧...

本发明的R－T－B系烧结磁体为包含主相晶粒和晶界相的R－T－B系烧结磁体，含有R：27.5质量％以上35.0质量％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr)、B：0.80质量％以上1.05质量％以下、Ga：0.05质量％以上1...

一种磨损试验装置，其是测定工件的磨损状态的磨损试验装置，其特征在于，具备保持前述工件的工件保持机构；相对于前述工件反复进行接触及非接触的接触夹具；旋转自由地保持前述接触夹具的旋转机构；和间歇地加热前述接触夹具的端部的加热机构。

一种超硬合金，是含有WC粒子55～90质量份，和以Fe为主成分的粘结相10～45质量份的超硬合金，其中，所述粘结相具有如下组成，含有2.5～10质量％的Ni、0.2～1.2质量％的C、0.5～5质量％的Cr、0.2～2.0质量％的Si、...

本实用新型的二次电池负极集电体用材，包括由Cu或Cu合金构成的板状的Cu材，Cu材至少在板面上具有含有CuO结晶相和Cu2O结晶相的表面层，表面层中的由CuO结晶相的面积/(CuO结晶相的面积+Cu2O结晶相的面积)求出的面积比(百分率...

本发明的二次电池负极集电体用材，包括由Cu或Cu合金构成的板状的Cu材，Cu材至少在板面上具有含有CuO结晶相和Cu2O结晶相的表面层，表面层中的由CuO结晶相的面积/(CuO结晶相的面积+Cu2O结晶相的面积)求出的面积比(百分率)为...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，实现了使用薄膜晶体管的半导体装置的高移动度化、高开电流化，且容易控制阈电位，能低成本、高良品率的制造且特性稳定。所述半导体装置具备栅极电极、源极电极和漏极电极，栅极电极与源极电极之间和栅极电极与漏极电...

本发明的包层材料具有由不锈钢构成的第一层和由Cu或Cu合金构成且轧制接合于第一层的第二层。在包层材料中，利用JIS H 0501的比较法测得的第二层的晶体粒度为0.150mm以下。

本发明提供相对介电常数低的电介质陶瓷的制造方法及电介质陶瓷，所述电介质陶瓷能够在低于900℃的低温条件下与低熔点金属一起进行烧成，并且烧成温度的选择范围宽，使空孔率减少从而能够使组织致密化，而且能够减少制造工序、缩短工序时间以及降低成本...