磁头包括Ｐ２磁极尖，在该磁头中，Ｐ２磁极尖材料电镀在Ｐ２磁极尖光刻槽的侧壁上。为了进行这种电镀，在写入间隙层上沉积材料块，使得在Ｐ２磁极尖的位置上形成材料块的大体直的垂直侧壁。然后，在该侧壁上形成电镀接种层。用光刻技术形成Ｐ２磁极尖沟槽...

本发明提供一种垂直磁记录介质，其不仅可在中间层厚度等于或小于２０ｎｍ的介质的区域获得磁记录层中晶粒间的磁隔离，而且具有优良的结晶织构，具有较低的介质噪声，优良的热稳定性和高可写性。该垂直磁记录介质至少具有顺序形成在基底１１上的软磁性衬层...

本发明的一个目的是通过一简单结构有效控制安装在一硬盘驱动器的流体动力轴承马达的转子的浮动。一基座（１０２）是由磁性材料形成的。所述磁力产生的所述吸力作用在基座（１０２）的底（２０２）和由一转子磁体（３０５）和一背磁轭（３０４）构成的磁体...

在传动臂单元１２０的每个传动臂１０４的主表面上，形成了沿纵向中心扩展的一刚性区域２０２和与所述刚性区域相邻纵向扩展以基本平面形状形成的并比所述刚性区域薄的流动均匀化区域２００。为减少臂摆动，在形成流动均匀化区域和刚性区域的部分未形成一平...

磁阻效应型磁头的击穿电压低至０．３伏时，忽略制造或使用过程中产生的即使是非常少量的静电是不切实际的。通过以下步骤来制造所期望的磁头：在Ｓｉ浮动块３１上形成ＳｉＯ↓［２］层３２，从而形成ＳＯＩ基板３０；在该ＳＯＩ基板３０上形成用来保护ＴＭ...

本发明旨在为高度可靠的能高密度读写信息的磁记录设备提供磁记录介质。磁记录设备包括：磁记录介质，在记录方向上驱动介质的驱动器，电磁感应型写磁头和自旋阀型读磁头相接合的复合型磁头，移动磁头相对于介质运行的装置和磁头的读写信号处理装置。磁记录...

本发明使用非金属材料以同时实现粒状介质结构并显著提高磁性材料的Ｋ↓［ｕ］值，从而获得能进行高密度记录的磁记录介质。通过交替层叠主要含有Ｃｏ或Ｆｅ的铁磁性交换金属元素和Ｐｔ元素，得到由磁性金属颗粒３１和非磁性材料３２制成的粒状磁性薄膜中的...

降低具有粒状结构的磁记录介质中的晶界分布，以便提供高介质信噪比的磁记录介质。在由通常为柱状结构的晶粒构成的衬层和由通常为柱状结构的磁性晶粒和晶界构成的磁记录层中，使磁记录层的晶粒粒度Ｄｍ和衬层的晶粒粒度Ｄｕ满足０．８×Ｄｕ≤Ｄｍ＜Ｄｕ的...

一种用于硬盘驱动器的致动器臂组件的控制系统减小了由激发较高频率致动器臂组件模态的外部源所导致的不可重复偏出（ＮＲＲＯ）。该致动器臂组件包括初级致动器和次级致动器。该控制系统包括控制初级致动器的初级控制环和控制次级致动器的次级控制环。次级...

本发明公开一种用于硬盘驱动器的致动器臂枢转组件，其载有用来从盘表面读取数据以及将数据记录到盘表面的读／写头。致动器臂枢转组件使用用于枢转机构的枢转盒。典型的枢转盒形成在由例如不锈钢的硬性材料制成的薄衬套上。与组件的其他部件相比，制造该衬...

一种磁盘，其在大约２００微米和更高尺度下具有低表面微观波度，而在小于约为用于对盘写入的浮动块上的衬垫的长度的尺度下具有高表面粗糙度。

本发明的目的是抑制在磁头和ＦＰＣ之间用于信号传输的线路结构部分的颤动现象。致动器（１０６）具有容纳在磁头（１０５）和ＦＰＣ（２１０）之间传输信号的线路结构部分（２３０）的线路结构支撑部分（２４０）。线路结构部分在其后端部分设置宽接头（２...

一种与驱动器和相对位置误差传感电路集成的小型传动装置形成在单个硅基片上。该集成小型传动装置／电子模块设置在悬浮和浮动块／传感器组件之间，以在磁盘驱动器的盘的数据磁迹上提供浮动块／传感器的快速、小的运动位置控制。小型传动装置电子设备与小型...

一种制造拖尾防护写入极的方法和材料，其解决了控制写入间隙和避免在后续结构的制造期间对写入间隙或极的损害的问题。此过程还介绍了移除再沉积和围层（增加产量）的ＣＭＰ协助剥离过程，以及在写入极的顶端中创建凹坑的方法。此外，此公开中还包括可起到...

提供一种数据记录装置和磁头组件，该用于数据记录盘驱动的磁头组件，包括：支架，在该支架上安装有线圈，且在该支架的表面上具有基准构件，以及在上述支架的具有与上述基准构件对应的孔的表面上安装的磁头常平架部件。

本发明公开了一种利用空气轴承面镶嵌工艺形成垂直磁记录头的方法和用该方法形成的垂直磁记录头。该垂直头是通过在极层上沉积伪尾部屏蔽层、并选择性地蚀刻所述伪尾部屏蔽层以达到等于所需的尾部屏蔽层的喉口高度的深度而形成的。然后，在所产生的空洞中沉...

本发明提供一种具有高效音圈的致动器磁头悬架组件。音圈１００以圆形形状或不同于常规扇形形状的任何其他形状方式构成，以增加音圈的效率并减小致动器磁头悬架组件的震动和噪声。

本发明提供薄膜磁记录头及其制造方法，其能够减少主极的磁道限制部分的圆形部分并具有极好的磁道宽度精度。主极在下述三种工艺中蚀刻：（１）将离子束以５０°±２０°的角度注入基底，同时沿离子束从介质到空气承载表面取向的参考方向，在±（３０至１５...

本发明涉及自钉扎磁阻传感器，其在每侧具有较厚的压缩材料以辅助自钉扎。在传感器区每侧具有凹进部分的屏蔽能够提供用于比其它情况下可能的更厚的压缩层的空间。

本发明公开了一种与磁头的屏蔽件结合在一起的电研磨引导件（ＥＬＧ），用来在形成磁头的过程中测量研磨处理。