日本硅电子技术株式会社专利技术

日本硅电子技术株式会社共有3项专利

  • 根据本发明,能够以廉价的结构防止在对薄膜电容器充电时流过过电流。具有:对多个薄膜电容器供给直流电流的直流电源(DC);与各个薄膜电容器串联连接,限制从直流电源(DC)向薄膜电容器供给的直流电流的电流值的电阻器;和与电容器串联,在选择一方...
  • 本发明提供一种小型且大容量,可以得到大电能的电能存储装置。本发明的电能存储装置(1)具有第一电极(4)、介电层(6)、第二电极(7),在第一电极(4)和介电层(6)之间以及第二电极(7)和介电层(6)之间,形成有由金属、半导体或表面改性...
  • 本发明提供一种可以快速充放电,可用于电池电极及电容器电极的电极用集流体的制造方法。本发明的电极用集流体及其制造方法是,使用钒等的有机液体金属,对比表面积大的氧化钛微粒进行表面改性处理。使用该电极用集流体,可以实现用于电池和电容器的集流体...
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