一种材料的汽化和供给装置，其中在控制的流速下将用于ＣＶＤ的液体材料引入到汽化器内，通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化，通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于ＣＶＤ的液体材料提供到制造半导体的ＣＶＤ装置时，在汽化中材料的浓度...

这里公开了一种供应液体原材料的方法，其中除去液体原材料中的气体，并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料，该方法包括：使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料，在透气合成树脂管中通过，使对合成树脂管的渗透率比第一惰...

一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，...

本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小...

本发明公开了一种气化器，其中与ＣＶＤ材料接触的至少一部分ＣＶＤ材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成；还公开了一种气化供给装置，其包括气化器和冷却器，其中气化器的ＣＶＤ材料进料口的内侧和ＣＶＤ材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成...

公开了由ＨＶＰＥ法生产氮化镓膜半导体的生产设备、净化来自此、设备中的废气的净化设备以及用于由ＨＶＰＥ法生产氮化镓膜半导体的综合生产装置。其中用于此生产设备中的废气排放管道、用于此净化设备中的导引管道以及连接这两个设备的排气管道均由导电性...

本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游...

公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上...

本发明提供了从包含氧化铜的、或包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜和氧化锰的、已用于与有害气体相接触脱除有害气体中膦有害成分的净化剂中回收铜成分或锰成分的方法。本发明也提供了从包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜...

本发明公开了一种纯化氨的方法，包括，将粗氨接触一种包含氧化锰作为有效成分的催化剂以去除作为杂质包含在氨中的氧气和／或二氧化碳；以及一种纯化氨的方法，包括，将粗氨接触一种包含氧化锰作为有效成分的催化剂，并随后接触一种孔径为为４－１０埃的合...

公开一种用化学汽相淀积法制造氮化膜的方法，其中所用氮源材料气毒性较小，有足够高的汽化压力，能在较低温度分解，因而能制成高质量薄膜，生长温度降低，提高了生长速度。用包含以叔－丁基联氨为氮源主要成分的材料气与有机金属化合物，金属卤化物或金属...

本发明公开一种净化有害气体的方法，它包括使含氟化氮，氟化钨，氟化硅，氟化氢和氟中的至少一种成分，特别是三氟化氮的有害气体，在最低为２００℃的温度下与含氧化亚锡作为有效成分的净化剂接触。上述方法能够在较高性能和较低的温度下净化有害气体而又...

公开一种净化含氨废气的工艺，该工艺包括如下步骤：使废气与加热的氨分解催化剂（如镍、钌）接触，以使大部分氨分解成氮气和氢气；随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂（例如合成氟石）接触，以吸收未分解的氨；然后加热再生该吸附剂，同时使含有吸附剂解...

回收氨的工艺，包括：安装壳体多管吸附器，该吸附器装有许多吸附管，该吸附管其内部分别充填氨吸附剂（例如合成沸石），并具有热传输介质的流动机构，以便通过吸附管进行热交换；使含氨气体流过吸附管，同时用热传输介质冷却吸附剂，以吸附氨；随后通过解...

能够从半导体制造过程中产生的废气中将有毒的卤素系气体如氟、氯、三氟化硼、三氯化硼及六氟化钨加以有效去除的净化剂及净化方法，通过将碱金属的甲酸盐和／或碱土金属的甲酸盐添加附着至活性炭上，或者将碱金属的氢氧化物和／或碱土金属的氢氧化物同碱金...

本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法：Ｒｍ－Ｍ－Ｈｎ其中Ｒ为烷基，Ｍ为Ａｓ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ或Ｔｅ，且ｍ和ｎ分别为正整数，满足等式：ｍ＋ｎ＝Ｍ的化合价。该清洗剂包含氧化铜（Ⅱ）或氧化...

公开了一种有害气体的净化方法，该方法包括：将从使用有机金属化合物作反应原料的反应过程中排出的有害气体，与氧气或空气混合，然后在１００℃－８００℃的温度下，使混合物与通过在一种无机载体上附载一种贵金属得到的催化剂；含选自氧化钒、氧化铬、氧...

用干法净化气体的净化柱包括水平板和直立管，前者装在净化剂床上面的位置，位于气体入口的下面，后者穿过水平板的中心，用于将有害气体从气体入口引导到水平板的下面，净化柱的内壁表面、水平板的上表面和直立管的外壁表面形成构成粉末物质收集器的空间。...

本发明涉及一种用于净化有害气体的方法，其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触，该有机硅化合物用通式表示为：ＣＨ↓［２］ＣＨ－ＳｉＲ↓［３］、ＣＨ↓［２］ＣＨ－Ｓｉ（ＯＲ）↓［３］、ＣＨ↓［２］ＣＨＣＨ↓［２］...

一种废气净化方法，包括以下步骤：加热的同时，将含氮氧化物或有机溶剂的至少一种的废气与含金属作为还原性净化成分并含金属氧化物作为氧化性净化剂成分，或者含低价金属氧化物作为还原性净化剂成分并含高价金属氧化物作为氧化性净化剂成分的净化剂接触，...