公开了一种新颖的等温晶体管结构及形成该等温晶体管结构的方法，该等温晶体管结构及方法使得彼此处于热邻近的两个或更多个晶体管能够等温操作。该结构包括在中道工艺或后道工艺过程中制造的至少两个晶体管，并且包括与至少两个晶体管热相邻并且耗散来自至...

公开了一种可用于制作半导体器件的新颖的氮化铪粘附层。特别地，如薄膜晶体管（其包括由具有高电子浓度的金属（比如钼、钨、镍、钌、钴及其合金）形成的一个或多个元件）等半导体器件可以采用本发明来更好地将金属元件粘附到其上形成有半导体器件的电介质...

一种用于通过提供补救性电路元件来提高制造的集成电路的良率的系统和方法，这些补救性电路元件包括通过中道工艺和/或后道工艺制造的交替平面晶体管，以根据由集成电路的制造后测试和/或由电路操作的操作中监测，在需要时启用和禁用提供附加电路功能的补...

一种新颖的薄膜晶体管（TFT）包括至少在晶体管的源极与将形成沟道的半导体构件之间的源极沟道界面构件。所述TFT还至少包括与半导体构件的源极和源极端接触的源极载流子储存库。源极沟道界面构件和载流子储存库的相互作用为TFT提供了增加的阈值电...

教导了新颖的半导体器件。该新颖器件包括薄膜晶体管(TFT)，其具有n型半导体层，以在源极和漏极之间形成沟道。该TFT还包括源极‑沟道界面构件，其至少与器件的源极接触件相邻，以提供TFT操作的耗尽层控制。

教导了一种有源通孔，其包括至少一个通孔和至少一个充当开关元件的晶体管。由此产生的有源通孔可以与1D、2.5D或3D芯片一起使用，以：控制电路元件；降低通孔之间的EMI；增加通孔的密度；提高芯片的功率和热效率；简化芯片上的电力、数据和其它...