本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。所述的圆周分布小孔依次为第一圆周分布小孔、第二圆周分布小孔和第三圆...

本实用新型涉及一种单晶硅太阳能电池组件，它包括一个单晶硅片，每个电池片为切割硅单晶圆棒的正六边形，电池片之间整齐排序排列串联构成。组件的D、F端以沿正六边形的最长对角线方向将电池片、部分坏角电池片或崩边的电池片切割好的半片电池串联后填充...

本实用新型涉及一种低成本生长太阳能级硅单晶的装置，它主要包括加热器、石墨坩埚、保温盖、保温筒、固化保温碳毡、炉底压盘、连接杆、导流罩。加热器外围处安装石墨第四导流罩，第四导流罩上安装第三导流罩；第四导流罩外安装石墨保温筒；石墨保温筒由石...

本发明涉及一种N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法。以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，具体工艺步骤：方棒机械抛光，抛光电流6-10A，工件移动速度10-25mm/min，用HF酸与HNO3化学抛光，多线切割...

本发明涉及一种直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法。该方法是专门用于生长P型高寿命硅单晶直拉硅单晶生长法。本发明在投料量70～90公斤的Φ20″热装置下生长的Φ150-200mm，P硅单晶的电阻率为3-20Ω·cm，寿命值大于300微秒...

本发明涉及一种直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺与装置，包括装料、加热化料、拉晶步骤，在直拉法拉制单晶硅棒的过程中使用导流罩与导流筒组合的导流装置，调整坩埚的位置熔硅进行拉晶。装置包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、...

本发明涉及一种少子寿命大于等于１０００微秒的Ｎ型太阳能硅单晶生长工艺。外型６～８英寸，（１００）晶向、电阻率范围为１～２０Ω.ｃｍ、表皮及截面少数载流子寿命≥１０００μｓ，间隙氧含量为［Ｏｉ］≤１７．５ｐｐｍａ，替位碳含量为［Ｃｓ］≤０...

本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的装置。它包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、保温盖、保温筒、托盘、固化保温碳毡、固化炉底护盘和排气孔。加热器外围处安装石墨保温筒，保温筒外面安装固化保温碳毡；石墨保温筒上沿也被石墨上托...

本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收...