本申请公开了一种失效分析方法、系统及缺陷标记结构，属于半导体技术领域。本申请实现了跨尺度、跨设备的无缝精准定位：通过“微米级缺陷标记”与“宏观指向标记”相结合的多级标记系统，并辅以“数字距离标记”，完美解决了从宏观定位到微观分析的过渡难...

本发明公开了一种光罩清洗工艺参数的标定版图和标定方法，该标定版图包括光罩基板，以及设置在光罩基板上的至少一种类型的SRAF图形结构；其中，对同一类型的SRAF图形结构，按照不同的线宽参数设置有多个；对同一类型同一线宽参数的SRAF图形结...

本发明公开了一种用于负载效应补偿的版图生成方法及相关装置，应用于光刻技术领域，包括：获取光掩模版数据；根据光掩模版数据对掩模版图进行网格划分，并确定每一网格中的版图密度；将各个网格的版图密度与目标密度进行比对，确定各个网格对应的密度差值...

本发明公开了一种曝光剂量确定方法、装置、设备及存储介质，应用于光刻技术领域，包括：获取目标关键尺寸，以及光刻胶曝光后形成的曝光图案与刻蚀后的功能层图案之间的线宽漂移容忍极限；获取曝光剂量斜率；曝光剂量斜率为基于不同曝光剂量下对应曝光图案...

本发明公开了一种辐照原位透过率测量装置和方法，装置包括：光源模块，用于出射光束；光传输模块，包括第一腔体以及设置于第一腔体内的光束调制组件、分束元件和第一探测器，光束进入第一腔体并入射至光束调制组件，整形光束或/和调整光束的尺寸，分束元...

本发明提供了一种掩模坯料及其制造方法、相移掩模及其制造方法；该掩模坯料包括依次层叠设置的透光性基板、刻蚀截止膜、相移膜、遮光膜和硬掩膜，其中，刻蚀截止膜的材料包括金属元素和非金属元素，金属元素选自Cr、Ta、Hf、Zr、Al、W和Ni中...

本发明提供了一种掩模坯料及其制造方法、二元掩模及其制造方法；该掩模坯料包括依次层叠设置的透光性基板、刻蚀截止膜、遮光膜和硬掩膜，其中，刻蚀截止膜的材料包括金属元素和非金属元素，金属元素选自Cr、Ta、Hf、Zr、Al、W或Ni；遮光膜的...