本实用新型公开了一种瞬态抑制二极管芯片，形成有新器件结构，栅极和漏极之间并联有

本发明公开了一种瞬态抑制二极管芯片，形成有新器件结构，栅极和漏极之间并联有PN结组串，新器件结构包括N型重掺杂硅衬底以及形成于N型重掺杂硅衬底表面的N型轻掺杂外延层，位于MOS元胞区的N型轻掺杂外延层内左右间隔设置有两处P型重掺杂区，每...