本申请公开了一种耗尽型MOSFET器件以及制造方法，包括：磷离子注入，进行退火热处理；光刻胶阻挡，硼离子多次注入，以形成P型阱区；砷离子注入，以形成N形沟道；栅氧化层生长，多晶硅栅极淀积和刻蚀；源极N++注入，进行退火热处理；介质层淀积...