OTND公司专利

OTND公司专利技术

OTND公司共有1项专利

在用于中子检测设备或电离室的金属片上沉积硼的方法技术

本发明是在意图用于中子检测设备（0）的金属载体（2、3）上沉积硼固体层（1）的方法，其特征在于，其包括至少一个在金属载体（2、3）上沉积至少一个包括硼的层（1）的步骤和冷压具有该层（1）的金属载体（2、3）的步骤。

最后更新日期：2014-02-07 09:07 访问量：189