本发明涉及消除半导体材料缺陷的方法。使用氦低温保持器，用24小时将衬底晶片的温度降至2.2开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在2.2开尔文保持96小时。在该温度，诸如GaAs、InP和GaP等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁...

使用氦低温保持器，用２４小时将衬底晶片的温度降至２．２开尔文。均温段将使衬底晶片的温度在２．２开尔文保持９６小时。在该温度，诸如ＧａＡｓ、ＩｎＰ和ＧａＰ等合金将形成偶极分子矩，其在分子键缩短时沿着内磁力线重新对齐。用２４小时使衬底晶片的...