本发明公开了一种制造垂直晶体管的方法。所述方法包括：提供包括垂直区域叠层的衬底(100)，所述垂直区域叠层包括通过沟道区(104)与漏极区(102)分离的源极区(106)；在所述衬底中形成沟槽(110)，所述沟槽至少部分地延伸到所述垂直...

多种实施例涉及一种对载波信号的传输频谱进行整形的发射电路和相关方法。发射电路可以包括由发射(TX)调制器产生的调制序列来控制的多个开关放大器级。TX调制器可以接收比特组序列形式的传输数据，并且可以产生包括可以控制每个开关放大器级的多个控...

一种采用优化缓冲器置换策略的微控制器，包括配置为存储指令的存储器、配置为执行程序指令的处理器、以及可操作的耦合在处理器和存储器之间的存储器加速器。存储器加速器配置为接收信息请求，并且当该请求由在先发起预取操作实现时，利用所请求的信息重写...

公开了一种电涌保护器件(200)，包括：第一传导类型的半导体基板(210)，所述半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板还包括第一表面处的第一结器件和第二表面处的第二结器件，所述第一结器件具有取向平行于第一表面的结...

本发明公开了一种具有参考源(12)的电路，参考源用于供给偏置信号以将放大器(10)中的放大器晶体管的小信号跨导设定到预定值。参考源具有至少一个参考晶体管(120a-b，30)。反馈电路(128，129，38)的输入端连接至参考晶体管(1...

一种表面安装器件SMD组件以及一种制造SMD组件的方法。将匹配网络集成到包含RFID集成电路的多层表面安装器件，以在超高频时段向RFID集成电路提供天线和匹配网络。所述表面安装器件可以安装在印刷电路板上以向该印刷电路板提供RF和RFID...

描述了一种包括金属网结构的半导体集成电路及其制造方法。在一个实施例中，半导体集成电路包含多个设备，所述半导体集成电路包括第一区域；第二区域；以及多个金属层，每一个金属层为第二区域下方的第一区域中的设备提供互连，至少第一个金属层插入在第一...

公开了一种D类放大器(300)，所述D类放大器(300)包括调制级(110)、多个功率级(130)和功率级控制电路(340)；所述调制级(110)具有用于接收输入信号(212)的输入(112)以及用于提供调制的输入信号输入信号(216)...

一种接合线变压器，包括并联耦合的多个初级接合线(1)；并联耦合的多个次级接合线(4)，每个次级接合线(4)与对应的初级接合线(1)隔开并相对于该对应的初级接合线(1)而定向，以在对应的初级接合线(1)与次级接合线(4)之间获得期望的互感...

本公开的方面涉及包括物理不可复制功能(PUF)设备的方法，该物理不可复制功能(PUF)设备接收包括第一询问值、第二询问值和远程消息认证值的通信。该方法包括以安全方式产生附加询问-响应对。在PUF设备与认证服务器或随后在认证中使用的其它设...

一种在存在干扰的情况下配置和操作的传感器电路。根据不同示例实施例，利用电流传感器感测杂散磁场，其中电流传感器还分别感测由于电流以相反方向流过导体的不同部分而产生的电流感应磁场。电流感应磁场和杂散磁场是共面的，电流传感器被布置为使得当传感...

一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；...

一种传感器电路，其配置为在易受未对准或移动影响的条件下操作。根据各种示例性实施方式，一种对准容错传感器配置包括参考部件以及第一磁性传感器和第二磁性传感器。参考部件根据该参考部件的位置影响磁场，例如通过磁性类型的部件的定位。第一磁性传感器...

一种传输门，具有位于输入节点和输出节点之间的通道。该传输门在电压的控制下选择地断开或闭合输入节点处的信号的通道。该传输门包括具有栅电极和电流沟道的场效应晶体管。该电流沟道设置在输入节点和输出节点之间。栅电极接收所述电压。该传输门配置为在...

本发明涉及一种高功率射频放大器，具体地涉及包括输出阻抗匹配网络的这种放大器，典型实施例包括：射频放大器(500)，包括安装在器件封装内基板上的有源器件(501)，放大器具有输出阻抗匹配网络，所述输出阻抗匹配网络包括高通网络和低通网络，所...

本发明公开了一种向用户输出音频文件以使用户能够选择音频文件之一的方法和设备。同时回放至少两个独立的音频文件，所述至少两个独立的音频文件不同地分布在一组扬声器上，从而对用户看表现为源自不同的方向。这使得用户能够实现更加迅速的选择过程。

本发明公开了一种制造分立半导体器件封装(100)的方法，包括：提供包括多个半导体器件(50)的晶片，每个所述半导体器件包括具有顶部触点(130)和底部触点(150)的基板(110)；利用第一锯齿刀片部分地切割所述晶片，以使得所述半导体器...

一种功率管理设备包括：输入，用于接收瞬时能量脉冲；第一存储部分和第二存储部分，用于存储来自输入的能量；输出；开关部分，用于按照至少第一配置和第二配置来选择性地连接输入、第一存储部分、第二存储部分和输出，其中在第一配置中，连接第一和第二存...

本发明提出了一种MEMS开关，其中，在衬底上方设置至少第一、第二和第三信号线，每条信号线端接于连接区。下部致动电极结构位于衬底上方。可移动接触电极悬置于连接区上方，以实现或断开三个连接区中至少两个连接区之间的电接触，上部致动电极结构设置...

本发明描述了一种应答器标记对象，包括：导电结构(103，105，403，405)；绝缘区域(109，409)，将导电结构的第一部分(103，403)与导电结构的第二部分(105，405)电流隔离；以及应答器标签(111，411，611)...