一种耐高温碱蚀、抗氧化炭块的制备方法，属于耐高温碱蚀材料领域。按照质量百分比原料组成为石墨微粉60—80%，硅粉5—20%；氧化铝溶胶5—30%和碳化硅微粉0—15%，经过混料、喷雾干燥、成型、预烧结和烧结的工艺制备。通过高温耐碱蚀和抗...

本实用新型涉及一种用于冶金硅定向凝固除杂的节能装置。该装置为矩形体，包括上保温盖、中保温套、下底板轨道车架、复合模具、导热板和水冷铜盘，水冷铜盘设于下底板轨道车架的中间，导热板设于水冷铜盘的上部，复合模具设置于导热板的上部，复合模具的四...

本实用新型涉及一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置。该装置的电子束熔炼室包括吸附板(2)、电子枪(3，4，5)、左右水平水冷铜坩埚(7，15)，其上设置有溢流口(10，14)，三把电子枪分别垂直安装在电子束熔炼室的上壁，左水平水冷铜坩埚(...

本发明涉及冶金法多晶硅提纯技术领域，特别是涉及一种湿法冶金提纯方法。本发明的提纯方法为：将颗粒度为100～200目的硅粉，进行磁选机磁选备用，通过预清洗、稀盐酸酸洗、稀氢氟酸酸洗、王水酸洗、稀氢氟酸和过氧化氢酸洗过程进行酸洗，固液比为1...

本发明涉及一种用于冶金硅定向凝固除杂的节能装置。该装置为矩形体，包括上保温盖、中保温套、下底板轨道车架、复合模具、导热板和水冷铜盘，水冷铜盘设于下底板轨道车架的中间，导热板设于水冷铜盘的上部，复合模具设置于导热板的上部，复合模具的四周填...

本发明涉及一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效除杂装置。该装置上部分为电子束熔炼室，下部分为定向凝固室，三把电子枪分别垂直安装在电子束熔炼室的上壁，左右水平水冷铜坩埚与移动丝杠机构相连接，在熔炼室上壁的左右两侧各设置有硅原料入口，送料机构安装...

本发明涉及涉及一种低硼低磷冶金硅的生产工艺。其技术方案是：选择SiO2＞99％、B＜10ppmw、P＜5ppmw的硅石，破碎粒度至50～120mm，经水洗净，晾干作为原料硅；选择石油焦作为还原剂；复合添加剂按重量百分比为：CaF60～6...

本发明涉及冶金法多晶硅提纯技术领域，特别是涉及一种多晶硅渣洗除硼工艺。其技术方案是采用冶金法渣洗除硼，利用前后两次相同复合渣剂预熔成渣剂熔池，加入工业硅熔化，硅液中的B与渣剂发生氧化反应，使B形成多元渣相，通过渣金分离，去除硅中的B杂质...

本发明属于材料工程技术领域，特别涉及一种太阳能级多晶硅的制备方法。其技术方案是为采用高纯硅石和碳质还原剂为原料，经过矿热炉碳热还原、渣洗精炼、湿法除杂、定向凝固、电子束熔炼后，得到太阳能级多晶硅。该高纯度的太阳能级多晶硅的B含量≤0.2...

本发明涉及冶金法多晶硅生产中高效定向凝固除杂的工艺。其技术方案是：a.预热：对坩埚中的硅料进行缓慢预热，预热真空度达到0.8Pa以下，预热温度范围：室温～1200℃，预热时间：6～10h，预热中要求完全保温；b.熔化：缓慢充入氩气至60...