本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，尤其涉及一种一体成型的等深度双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法。该结构在N型SiC衬底上依次形成N+缓冲层与N‑漂移层，其表面设有深度一致的主沟槽与辅助沟槽；主沟槽内依次形成栅氧化层与多晶硅栅...

本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构，包括壳体、引线框架、覆铜陶瓷基板以及半导体晶粒；所述引线框架、所述覆铜陶瓷基板和所述半导体晶粒均设置于所述壳体内，且引线框架与覆铜陶瓷基板固定连...