本发明公开了一种抗强光干扰的I

本发明公开了一种暗电流消除电路，涉及集成电路技术领域，包括一个MOS管和一个电流放大器，MOS管的栅极、MOS管的源极和电源VDD相连，MOS管的漏极作为输出与电流放大器相连；本发明还公开了一种可见光传感器，包括感光电路，N级电流放大电...

本发明公开了一种码率及码字占空比自适应电路，涉及集成电路技术领域，包括：电容C；高频振荡器OSC，对输入数据码进行采样；电荷泵CP，对电容C进行充放电；低通滤波器LPF，对电荷泵CP输出信号进行滤波；模数转换器ADC，把模拟信号转换成数...

本发明公开了一种基于隐藏式激励环的指纹传感器，涉及集成电路技术领域，包括指纹传感芯片、基板、塑封层和隐藏式激励环；指纹传感芯片贴装在基板上，基板作为指纹传感芯片的载体，将指纹传感芯片上的信号传导到外部；塑封层覆盖在指纹传感芯片上面，保护...

本发明公开了一种基于隐蔽式激励环的指纹传感器，涉及集成电路技术领域，包括指纹传感芯片、基板、塑封层和隐藏式激励环；指纹传感芯片贴装在基板上，基板作为指纹传感芯片的载体，将指纹传感芯片上的信号传导到外部；塑封层覆盖在指纹传感芯片上面，保护...

本实用新型公开了一种跨导电容滤波器，涉及集成电路领域，包括恒定Gm偏置电路和主滤波器，恒定Gm偏置电路输出控制电压Vct到主滤波器。本实用新型还公开了一种跨导电容滤波器电路，包括上述跨导电容滤波器。本实用新型通过采用恒定Gm偏置电路替代...

本实用新型公开了一种指纹传感器及电路，涉及集成电路领域，包括介质层、激励信号发生器、控制开关、采集单元、控制电路、选择开关、可编程放大器和模数转换器；采集单元表面覆盖介质层，激励信号发生器通过控制开关连接采集单元，采集单元通过选择开关与...

本发明公开了一种跨导电容滤波器，涉及集成电路领域，包括恒定Gm偏置电路和主滤波器，恒定Gm偏置电路输出控制电压Vct到主滤波器。本发明通过采用恒定Gm偏置电路替代辅助PLL去偏置滤波器内部的跨导放大器(OTA)，减小了面积和功率消耗，增...

本发明公开了一种指纹传感器，涉及集成电路领域，包括介质层、激励信号发生器、控制开关、采集单元、控制电路、选择开关、可编程放大器和模数转换器；采集单元表面覆盖介质层，激励信号发生器通过控制开关连接采集单元，采集单元通过选择开关与可编程放大...

本实用新型公开了一种基于指纹传感器采集阵列输出级的有源负载电路，涉及半导体芯片领域，包括电流源和辅助放电通路，辅助放电通路和电流源并联，辅助放电通路一端连接指纹传感器采集阵列的放电节点，另一端接地，辅助放电通路在指纹传感器采集阵列复位状...

本实用新型公开了一种半导体指纹传感器，涉及半导体芯片领域，包括M层多晶硅层和N层金属层，相邻金属层之间设置介质层(IMD)，除第N金属层和第N‑1金属层之间以外，其他相邻金属层之间设有通孔层，M为大于0的整数，N为大于1的整数。本实用新...

本实用新型公开了一种微电子电容，涉及半导体芯片领域，包括第一金属层、第二金属层和绝缘层，第一金属层和第二金属层位于绝缘层的两侧，并和绝缘层结合，第一金属层和第二金属层相对于绝缘层结构对应。本实用新型通过利用不同层金属之间的形成微电子电容...

本实用新型公开了一种指纹采集芯片及包括该芯片的电路，涉及半导体芯片领域，包括感应电极阵列、采集器阵列、总线、PGA阵列、数据选择器MUX、ADC电路、控制逻辑电路、输出逻辑电路、输出接口，感应电极阵列、采集器阵列、总线、PGA阵列、数据...

本发明公开了一种基于指纹传感器采集阵列输出级的有源负载电路，涉及半导体芯片领域，包括电流源和辅助放电通路，辅助放电通路和电流源并联，辅助放电通路一端连接指纹传感器采集阵列的放电节点，另一端接地，辅助放电通路在指纹传感器采集阵列复位状态下...

本发明公开了一种半导体指纹传感器，涉及半导体芯片领域，包括M层多晶硅层和N层金属层，相邻金属层之间设置介质层(IMD)，除第N金属层和第N‑1金属层之间以外，其他相邻金属层之间设有通孔层，M为大于0的整数，N为大于1的整数。本发明通过优...

本发明公开了一种指纹采集芯片，涉及半导体芯片领域，包括感应电极阵列、采集器阵列、总线、PGA阵列、数据选择器MUX、ADC电路、控制逻辑电路、输出逻辑电路、输出接口，感应电极阵列、采集器阵列、总线、PGA阵列、数据选择器MUX、ADC电...

本发明公开了一种微电子电容，涉及半导体芯片领域，包括基本平行设置的第一金属层、第二金属层和绝缘层，第一金属层和第二金属层位于绝缘层的两侧，并和绝缘层结合，第一金属层和第二金属层相对于绝缘层结构对应。本发明通过利用不同层金属之间的形成微电...