本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法。所述装置包括石墨坩埚、石墨隔板和石墨籽晶托。石墨坩埚底部设有带挡板的石墨片；石墨隔板设于籽晶下方，其上的贯穿口、嵌槽、开槽石墨块及下石墨挡板与石墨籽晶托的竖...

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种用于液相法生长碳化硅单晶的工艺参数优化方法及系统，所述方法包括：构建宏观有限元模型，依据多组工艺参数耦合得到籽晶前沿边界层的宏观物理场数据；构建微观动力学模型，以多组宏观物理场数据作为面上边...

本发明属于碳化硅单晶制备技术领域，具体涉及凹面籽晶、基于凹面籽晶的单晶生长方法及碳化硅单晶。该方法的核心在于采用特定几何参数的凹面籽晶，在物理气相传输法生长过程中，通过精确控制热场，使籽晶边缘温度T2持续高于中心温度T1，并维持5~25...

本发明属于碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种用于碳化硅单晶生长的石墨导向环及其长晶工艺。该石墨导向环包含接近籽晶边缘的导向环内结构层和导向环外结构层以及设置于两者之间的中介层，导向环内结构层为等径或扩径曲面，中介层截面为梯形，梯形顶部...

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种批量合成碳化硅粉料的闭环系统及方法。所述系统包括顺次连接的原料合成与纯化、化学气相沉积反应、尾气处理与循环三大模块。该方法通过所述模块合成并纯化原料气体，进行化学气相沉积反应生成碳化硅沉积体...

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种用于合成碳化硅粉料的坩埚组件及其合成方法。所述坩埚组件包括外坩埚、装料坩埚和支撑环。外坩埚由等静压石墨制成，其内腔侧壁设导气槽，底部和顶部坩埚盖开设通气孔；装料坩埚由多孔石墨制成并容置于外坩...

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法。坩埚内部由下至上依次设置有：由外向内铺设的、粒径递减的第一与第二碳化硅粉料；覆盖于第一粉料表面的石墨盘；覆盖于第二粉料表面的多孔石墨板；支撑于...